Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью

1.1. Применение датчиков магнитных полей в науке и технике.
1.2. Интеллектуальные интегральные сенсорные микросистемы, сформированные па основе КМОП процесса
1.3. Возможные преобразователи магнитного поля интеллектуальной микросистемы
1.4. Класс магнитотрапзисторов
1.5. Двухколлекторный биполярный магниточувствительный транзистор преобразователь магнитного поля интегральной микросистемы
1.6. Критерии качества двухколлскторного биполярного магниточувствительного транзистора
1.7. Физические эффекты, на которых работают ДКБМТ, и факторы, позволяющие повысить чувствительность.
1.8. Моделирование структур латерального биполярного двухколлекторного транзистора.
1.9. Выводы по первой главе и постановка задачи.
Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОТРАНЗИСТОРЛ МЕТОДАМИ
ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ.
2.1. Преимущества численного моделирования перед натурным экспериментом.
2.2. Системы приборнотехнологического моделирования
2.3. Этапы моделирования и основные уравнения для магнитотранзистора
2.4. Моделирование магнитотранзистора в среде ТСАО и способ обработки полученных результатов
2.5. Выбор математической модели расчета и калибровка основных
параметров структуры транзистора.
2.6. Настройка модели
2.6.1. Тестовый кристалл ТК
2.6.2. Численное моделирование структуры ДКБМТ.
2.7. Выводы по второй главе.
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОТНОСИТЕЛЬНУЮ ТОКОВУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДКБМТ СРЕДСТВАМИ 5Е ТСЛО
3.1. Описание исходной структуры ДКБМТ, технологии изготовления, принципа и режима работы в магнитном поле и в отсутствие его, инверсия знака относительной токовой чувствительности.
3.2. Влияние дозы ионного пучка на формирование диффузионного кармана транзистора и относительную токовую чувствительность ДКБМТ.
3.3. Влияние концентрации примеси в подложке на относительную токовую чувствительность магнитотранзистора.
3.4. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на относительную токовую чувствительность ДКБМТ
3.5. Исследование влияния расстояния эмигтеркол лектор на ВАХ и относительную токовую чувствительность магнитотранзистора
3.6. Влияние толщины подложки на относительную токовую чувствительность
3.7. Влияние положения контакта к подложке на относительную токовую чувствительность ДКБМТ
3.8. Влияние магнитного поля на дифференциальный ток
коллекторов и относительную токовую чувствительность ДКБМТ
3.9. Влияние расположение базового контакта на относительную токовую чувствительность ДКБМТ
3 Выводы по третьей главе
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ОТНОСИТЕЛЬНУЮ ТОКОВУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДКБМТ С ТОПОЛОГИЕЙ ЭМИТТЕРБАЗ АКОЛ ЛЕКТОР.
4.1. Описание структуры ДКБМТ.
4.2. Расчет ВАХ и относительной токовой чувствительности ДКБМТ.
4.3. Влияние дозы и энергии ионного пучка на формирование диффузионного кармана транзистора.
4.4. Влияние дозы легирования при создании р областей охраны на величину относительной токовой чувствительности транзистора
4.5. Влияние концентрации примеси в подложке на относительную токовую чувствительность магнитотранзистора.
4.6. Исследование влияния расстояния коллекторэмиттер на ВАХ и относительную токовую чувствительность магнитотранзистора
4.7. Влияние положения и размера базового контакта на относительную токовую чувствительность транзистора
4.8. Влияние расположения контакта к подложке па ВАХ и относительную токовую чувствительность транзистора
4.9. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на относительную токовую чувствительность транзистора
4 Исследование влияния режима работы ДКБМТ патоки электродов и относительную токовую чувствительность.
4 Зависимость относительной токовой чувствительности и Ягараметра ДКБМТ от индукции магнитного поля
4 Условия возникновения и способы повышения отрицательной относительной токовой чувствительности ДКБМТ
4 Выводы по четвертой главе.
Глава 5. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО
БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ
МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЫЮСТЫО
5.1. Описание структуры, технологии изготовления и принципа действия ДКБМТ в двойном кармане
5.2. Влияние глубины кармана и толщины подложки на чувствительность транзистора
5.3. Влияние дозы легирующей примеси при формированииркармана базы и его глубины на величину относительной токовой чувствительности
5.4. Исследование влияния расстояния коллскторэмитгер ДКБМТ в двойном кармане на его ОТЧ
5.5. Влияние величины индукции магнитного поля на относительную токовую чувствительность ДКБМТ в двойном кармане
5.6. Температурная зависимость относительной токовой чувствительности ДКБМТ в двойном кармане
5.7. Изготовление тестовых кристаллов и исследование электрических характеристик ДКБМТ в двойном кармане.
5.8. Выводы по пятой главе
ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ