Исследование и прогнозирование радиационной стойкости светодиодов из фосфида галлия

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА ПО МЕТОДАМ КОНТРОЛЯ И ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И СВЕТОДИОДОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
Выводы.
ГЛАВА 2. ВЫВОД АНАЛИТИЧЕСКИХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ДЛЯ ОЦЕНКИ И ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ
2.1. Изменение параметров оптически активной области при облучении
2.2. Связь электрофизических и оптических параметров материала активной области с электрическими и электролюминесцбнтными характеристиками светодиодов.
2.2.1. Электролюминесценция ЭЛ из оптически активной рили побласти в режиме малого уровня инжекции
2.2.2. ЭЛ из оптически активного компенсированного слоя или низкоомных р и побластей в режиме высокого уровня инжекции
2.2.3. ЭЛ из оптически активных низкоомных р и побластсй рппструктуры
Выводы.
ГЛАВА 3. КОМПЛЕКСНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ И ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ ИЗ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ С ЖЕЛТОЗЕЛЕНЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ
3.1. Исследуемые структуры. Методы измерения до и Iюелвоблучи шя. Аппаратура и режимы облучения рыпероходов нейтронами, протонами, электронами и гамма квантами
3.2. Спектры ЭЛ. Профили распределения основной легирующей примеси. Спектры ТСЕ.
3.2.1. Спектральные характеристики рппереходов.
3.2.2. Профили распределения основной легирующей примеси.
3.2.3. Спектры ТСЕ, энергии ионизации и коэффициенты захвата глубоких примесных цегтров.
3.3. Экспериментальные зависимости ВАХ и 1,и,1хлРАКТЕРистик от флюенсл нейтронного облучения
3.4. Обсуждение экспериментальных вольтамперных и 111,1характерисгик и расчет коэффициентов повреждаемости времени жизни.
3.5. ЭКСПЕРИМШГГАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ СИЛЫ СВЕТА ОТ ФЛЮЕНСА ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ И ДОЗЫ ГАММА
квантов. Константы повреждаемости времени жизни при данных воздействиях.
3.5.1. Экспериментальные зависимости силы света от флюенса облучения протонами с энергией и МэВ и результаты расчета констант повреждаемости
3.5.2. Экспериментальные зависимости силы света от флюенса облучения электронами с энергией 5 Мэв и расчет константы повреждаемости.
3.5.3. Экспериментальные зависимости силы света от дозы флюенса облучения гамма квантами с энергией 1, МэВ и расчет константы повреждаемости.
3.6. Сравнительный анализ влияния различных видов облучения на снижение силы света и расчет
коэффициентов относительной эффективности.
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 4. РАДИАЦИОННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ И КОМПЛЕКСНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ И ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ 2ЦЧ0САР С КРАСНЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ
4.1. ИССЛЕДУЕМЫЕ СТРУКТУРЫ
4.2. Изменение силы света и ВАХ светодиодов после воздействия.
НЕЙТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ.
4.2.1. Методика облучения и контроля спектра нейтронов и плотности потока
4.2.2. Экспериментальные вольтампериые и люмеивольтамперные характеристики до и после облучения.
4.2.3. Обсуждение экспериментальных результатов. Расчет констант повреждаемости
4.3. Разработка метода малых флюенсов для контроля и оценки радиационной стойкости
4.4. Сравнительные методы контроля и оценки радиационной стойкости величины т0дК, при облучении протонами, электронами и гамма квантами
4.4.1. Изменение силы света светодиодов при облучении протонами и определении величины т0Кр
4.4.2. Изменение силы света при облучении электронами с энергией 5 и МэВ и
определение величины ТоК
4.4.3. Изменение силы света при облучении гамма квантами и определение величины тоК,.
Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУРА