Конструктивно-технологические аспекты создания кремниевых цветных фотоячеек с глубинным цветоделением на изотипных P+-P переходах

Введение.
Глава 1. Общие принципы регистрации и обработки фотосигпалов для формирования цветного изображения.
II .
1.1. Элементы зрительного восприятия и спектральные характеристики излучения оптического диапазона.
1.1.1. Способы считывания и регистрации изображения.
1.1.2. Основы теории цвета
1.2. Колориметрические характеристики излучения и особенности современных систем кодировки цвета X, ИОВ.
1.3. Основные типы кремниевых фотопримников изображения, преимущества фотопримников с глубинным цветоделением.
1.4. Спектральная чувствительность кремниевых фотодиодов и принцип глубинного цветоделения.
1.5. Преимущества использования биполярных транзисторов для считывающих электронных схем при проектировании матричных примников цветного изображения.
1.6. Выводы.
Глава 2. Метод формирования и коррекции формы спектральной чувствительности кремниевых фотоэлементов.
2.1. Коррекция спектральной чувствительности фотоэлементов
2.2. Профилирование распределения бора в асимметричных п р кремниевых фоточувствительных структурах
2.3. Новый способ интеграции нескольких спектральных компонент в одном фотоэлементе
2.4. Исследование влияния разброса технологических параметров на спектральную чувствительность р Ур и рп структур, изготовленных по КМОП технологии.
2.5. Выводы.
Глава 3. Оптимизация конструкции и формы спектральных характеристик интегрированных цветных фотоячеек с глубинным цветоделением на потенциальных барьерах.
3.1. Оптимизация формы спектральных характеристик цветных фотоячеек с глубинным цветоделением в критериях стандартных цветовых координат
3.1.1. Специфика формирования синезеленого и зеленокрасного барьерных р слоев
3.1.2. Устранение смыкания барьерных р слоев
3.1.3. Взаимное расположение синезеленого и зеленокрасного потенциальных барьеров
3.2. Подавление паразитной чувствительности в инфракрасной области и повышения разрешающей способности матричного фотопримника цветного изображения
3.3. Выводы
Глава 4. Влияние многослойного диэлектрического покрытия 3К4ФССвЮг на спектральную чувствительность элементов матричных КМОП фотопримников.
4.1. Экспериментальное исследование спектральной чувствительности фотоэлементов.
4.2. Моделирование пропускания многослойного диэлектрического покрытия фотоэлемента.
4.3. Сопоставление экспериментальных и расчетных зависимостей
4.4. Оптимизация пропускной способности диэлектрического покрытия
4.5. Технические рекомендации.
4.6. Выводы.
Глава 5. Исследование и развитие методов технологической интеграции биполярных и КМОП транзисторов в структуре фотопримных аналогоцифровых микросхем с субмикронными размерами элементов.
Л М
5.1. Использование фотослоев для формирования биполярных
транзисторов в базовом КМОП процессе.
5.2. Разработка и исследование тестовых кристаллов.
5.3. Выводы.
Заключение
Список использованных сокращений.
Список литературы