Электронная компонента изменения показателя преломления лазерных кристаллов при интенсивной накачке и ее роль в формировании голографических зеркал в лазерах на динамических решетках населенности

Содержание
Теоретическое описание электронных изменений показателя преломления лазерного кристалла Ыс1УАО и результаты их предыдущих ингерферометрических исследований
1.1.Теоретическое описание электронных изменений показателя преломления
1.2. Результаты предшествующих исследований изменения показателя преломления лазерного кристапла МУАС
Спектроскопические исследования механизмов заселения энергетических уровней иона Ыс в кристаллах Ы3УАО и ЖУАР
2.1.Описание экспериментальной установки
2.2.Спектроскопические исследования заселения высоколежащих уровней в кристалле ШГУАв при накачке гармониками импульсного ЫсТУАв лазера
2.3.Спектроскопические исследования заселения высоколежащих уровней в кристалле ШУАР при накачке гармониками импульсного ШУАС лазера
2.4.Спектроскопические исследования кристалла Ыс1УАО при комбинированной накачке диодным лазером на 8 нм и гармониками импульсного ЫсГУАО лазера
2.5.Обсуждение результатов спектроскопических исследований
Интерферометрические исследования изменения показателя преломления в кристалле ШУАО при
интенсивной накачке
3.1.Описание экспериментальной установки
3.2.Интерферометрические исследования изменения показателя преломления в кристалле ЫсРУАО при
накачке диодным лазером на 8 нм
3.3.Интерферометрические исследования изменения показателя преломления в кристалле ИсРУАО при
комбинированной накачке диодным лазером на 8 нм
лава
Заключение
Литература