Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники

Содержание
Перечень условных обозначений и сокращений
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1 Свойства аморфного гидроген и зирован но го кремния.
1.1.1 Структура и электронные свойства авпН
1.1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства аБШ
1.1.3.Электропроводность и транспорт носителей заряда в аБШ
1.2. Получение пленок аБ1 Н
1.2.1 .Основные методы, используемые для формирования аморфных пленок.
Метод распыления.
Химическое осаждение из газовой фазы.
Плазмохимическое осаждение
1.2.2. Получение микрокристаллических и наноструктурированных
пленок аБкН.
1.3. Люминесцентнтные свойства материалов на основе кремния
1 АФотоприемные устройства на основе аБиН.
1.4.1. Фоторезисторы.
1.4.2. Р1Ы фотодиод
1.4.3. Фотодиоды с барьером Шоттки.
1.5 Основные выводы. Постановка задачи.
Глава 2. Получение, структура и свойства тонких пленок аморфного
гидрогенизированного кремния.
2.1. Технология формирования наноструктурированных пленок аБиН.
Нанесение слоев .i циклическим плазмохимическим
осаждением в однокамерной установке
Нанесение слоев методом циклического осаждения и отжига в
плазме с использованием двух квазизамкиутых объемов
2.2 . Модифицирование наноструктурированных пленок аБкН в
процессе термообработки
Глава 3. Исследование люминесцентных свойств наноструктурированных пленок аБг.Н с нанокристаллическими включениями кремния
3.1. Исследование излучателыюй способности нелегированных пленок аБШ, содержащих нанокристаллитьт кремния
3.2. Люминесценция эрбия в матрице аБпН с нанокристаллитами
Глава 4. Электрофизические и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния
4.1. Исследование фото и темповой проводимости
наноструктурированных пленок аБШ
4.2. Возможности улучшения стабильности акН
4.3. Исследование фотоприемных устройств, изготовленных на основе
наноструктурированных пленок авг.Н
Заключение
Список используемой литературы