Содержание
Введение.
Глава 1. Перспективные способы обработки поверхности
подложек полупроводников.
1.1. Характеристика способов травления.
1.2. Особенности процессов травления полупроводниковых соединений с использованием газоразрядной плазмы.
1.3. Влияние состава плазмы на процесс травления
1.4. Травление в плазме высокой плотности.
Заключение
Глава 2. Физикохимические реакции в процессе
плазмохимического травления.
2.1. Взаимодействие СаАз с галогенсодержащими компонентами
2.2. Взаимодействие 1пР с галогенами
2.3. Статистическое моделирование кинетики
процесса плазмохимического травления
Заключение
Глава 3. Методика исследования, исходные материалы и
применяемая аппаратура
3.1. Исходные объекты исследования
3.2. Аппаратура для плазмохимического травления, стимулированными ионами.
3.3. Методика зондовых измерений
Заключение
Глава 4. Исследование влияния параметров химически активной
плазмы на кинетику травления и состояние поверхности подложек
4.1. Закономерности травления СаАв и изменения состояния поверхности монокристаллических подложек
4.2. Закономерности травления 1пР и изменения состояния поверхности монокристалл ических подложек.
4.3. Роль кислорода в процессе плазмохимического
травления
4.4. Конкурирующее действие процессов удаления материала подложки, дефектообразования и изменения
химического состава
Заключение.
Глава 5. Возможности использования результатов при разработке и
создании устройств твердотельной электроники
5.1. Использование метода планирования эксперимента для оптимизации процесса плазмохимического травления.
5.2. Применение плазмохимического травления для подготовки поверхности ваАэ при формировании контакта Шоттки
5.3. Применение реактивного ионнолучевого травления СэАб, совмещенного с металлизацией поверхности.
5.4. Применение ионноплазменного травления для формирования контакта Шоттки в системе СаА8УНс .
Заключение.
Общие выводы
Список цитируемой литературы
- Київ+380960830922