Математическое моделирование и оптимизация тепловых процессов в микроэлектронных структурах

ВВЕДЕНИЕ.
1. ПРОБЛЕМЫ, МЕТОДЫ И ЗАДАЧИ МАТЕМАТИЧЕСКОЮ МОДЕЛИРОВАНИЯ И ОПТИМИЗАЦИИ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ
1.1. Выводы
2. РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ОПТИМИЗАЦИИ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ
2.1. Обобщенная математическая модель процессов теплообмена в многослойных микроэлектронных структурах.
2.2. Математическое описание процессов теплообмена в многослойных кусочнонеоднородных микроэлектронных структурах.
2.3. Математическое описание процессов теплообмена в многослойных кусочнооднородных микроэлектронных структурах.
2.4. Вариационная постановка задач теплообмена в многослойных микроэлектронных структурах
2.5. Постановка задач оптимального управления тепловыми процессами в многослойных микроэлектронных структурах.
2.6. Выводы.
3. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ И АЛГОРИТМОВ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В
МИКРОЭ ЛЕКТРII1ЫХ СТРУКТУРАХ
3.1. Общая методика численного моделирования тепловых процессов в микроэлектронных структурах
3.2. Построение эффективных алгоритмов численного моделирования тепловых процессов в микроэлектронных структурах.
3.3. Выводы.
4. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ КУСОЧНОНЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ С
ПЛОСКОСТНОЙ СИММЕТРИЕЙ И ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ МЕТОДОВ
ЭКВИВАЛЕНТНОЙ ГОМОГЕНИЗАЦИИ
4.1. Математическое описание процессов теплообмена в многослойных кусочнонеоднородных структурах с плоскостной симметрией.
4.2. Построение аналитических моделей процессов теплообмена в многослойных кусочнонеоднородных структурах с плоскостной симметрией методом эквивалентной гомогенизации.
4.3. Оценка погрешности методов эквивалентной гомогенизации
4.4. Выводы
5. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОСТРУКТУРАХ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
5.1. Расчет тепловых режимов гибридных матричных фотоприемников инфракрасного диапазона спектра на основе узкозонных твердых растворов x,.x .
5.2. Оптимальное управление тепловым состоянием микроэлектронных сорбционнокондуктометрических газовых сенсоров на основе пленок диоксида олова.
5.3. Оптимальное управление тепловым состоянием детекторов рентгеновского и гаммаизлучений на основе широкозонных твердых растворов теллурида кадмияцинка xx
5.4. Выводы.
6. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР.
6.1. Математическое моделирование процессов теплообменна в микродвигателях на основе многослойных волокнистых микроструктур.
6.1.1. Общая характеристика и классификация многослойных структур микродвигателей.
6.1.2. Численное моделирование температурных полей в многослойных плоскосимметричных структурах микродвигателей с электрически пассивными и активными ферромагнитными слоями.
6.1.3. Расчет тепловых режимов микродвигателей на основе многослойных
волокнистых микроструктур.
6.2. Выводы.
7. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТЕПЛООБМЕНА ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПУЧКОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С МНОГОСЛОЙНЫМИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫМИ СТРУКТУРАМИ В ПРОЦЕССЕ ДИАГНОСТИКИ ИХ СВОЙСТВ.
7.1. Численное моделирование процессов теплообмена при взаимодействии электронного зонда с многослойной микроэлектронной структурой.
7.1.1. Расчет распределения плотности тепловых источников.
7.1.2. Расчет температурных полей, возникающих при взаимодействии электронного зонда с многослойной микроэлектронной структурой
7.2. Выводы.
8. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССОВ ТЕПЛООБМЕНА ПРИ ПОЛУЧЕНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
8.1. Численное моделирование и оптимизация тепловых процессов при выращивании монокристаллов полупроводниковых соединений методом направленной кристаллизации.
8.2. Численное моделирование тепловых процессов при выращивании монокристаллов полупроводниковых соединений методом бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом.
8.3. Выводы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ