СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава 1. Современное состояние задачи бессвинцовой пайки
изделий микроэлектроники.
1.1. Европейская директива оНБ о запрете свинца
в производстве изделий РЭА.
1.2. Достоинства и недостатки оловянносвинцовых припоев
1.3. Бессвинцовые припои в производстве ППИ
1 .4. Покрытия паяемых поверхностей кристалла и основания
корпуса для пайки бессвинцовыми припоями.
1.4.1. Цинковое, олововисмутовое, оловянное, никелевое, сплав никель олово, серебряное, алюминиевая металлизация.
1.4.2. Использование золота для пайки на эвтектику БАи
1.5. Анализ паяемой поверхности основания корпуса
1.6. Некоторые особенности пайки кристаллов к основаниям корпусов.
1.7. Оценка качества паяных соединений кристалл корпус
по тепловому сопротивлению.
1.8. Методы, приборы и оборудование, используемые
для проведения экспериментов.
Выводы и постановка задач для исследования и разработок
Глава 2. Экологические аспекты проблемы бессвинцовой пайки
изделий микроэлектроники.
2.1. Токсикологическая оценка металлов, входящих в состав припоев и покрытий для бессвинцовой пайки
2.2. Экологическая оценка припоев ПОС БпРЬ
и бессвинцового ,5Бп4А0,5Си
2.3. Анализ капиллярной пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП припоями на основе свинца.
Выводы.
Глава 3. Разработка способов и технологий бессвинцовой пайки
кристаллов СПП к основаниям корпусов.
3.1. Контактнореактивная пайка с образованием
эвтектики БАи
3.1.1. Подготовка соединяемых поверхностей к сборке
3.1.2. Новый способ подготовки к пайке золотой прокладки .
3.2. Контактнореактивная пайка с образованием
эвтектики
3.3. Контактнореактивная пайка с образованием
эвтектик Ап и
3.4. Способ бессвинцовой пайки кристалла к корпусу.
3.5. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса СПП
Выводы.
Глава 4. Тепловое сопротивление транзистора типа КТА1.
4.1. Измерение теплового сопротивления ППИ.
4.2. Расчет стационарного теплового сопротивления транзистора КТА1 в корпусе КТВ
методом эквивалентов.
4.3. Упрощенный расчет теплового сопротивления
транзистора КТА1 в корпусе КТВ
4.4. Влияние качества пайки кристаллов к основаниям корпусов на Ягпк транзисторов КТА
в корпусе КТВ.
Глава 5. Практическое применение результатов исследований в
производстве СПП
5.1. Разработка новой методики подсчета площади непропаев
по рентгенограммам паяных соединений кристалл корпус.
5.2. Пайка кристаллов датчиков газов к корпусам бессвинцовым припоем
5.3. Качество паяных ППИ и эффективность их производства
5.4. Способ сварки давлением внутренних выводов
к контактным площадкам кристаллов СПП
Выводы.
Основные результаты и выводы
Литература
- Київ+380960830922