СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1.
ГЛАВА 2.
ГЛАВА 3.
ГЛАВА 4.
Рост и оптоэлектронные свойства 8Ое гетероструктур. Литературный обзор
1.1. Введспие.
1.2. Рост ОеБ гетероструктур на 81.
1.3. Оптические свойства структур с Се881
островками.
1.4. Ое8 гетероструктуры на релаксированных вЮе
буферных слоях.
Влияние температуры и скорости осаждения Ое на рост и фотолюминесценцию Се881
самоформирующихся островков.
2.1. Введение.
2.2. Методика эксперимента.
2.3. Анализ морфологии поверхности структур с
Се881 самоформирующимися островками и квантовыми точками, выращенных при температурах роста 2з0 С.
2.4. Фотолюминесценция структур с Ое881
самоформирующимися островками, имеющими
различную форму.
2.5. Влияние скорости осаждения ве на рост и ФЛ Се881 островков, сформированных при 0 С. Формирование высококачественных релаксированных 8Юе81 буферных слоев.
3.1. Технология получения высококачественных релаксированных 8Се81 буферных слоев.
3.2. Отработка методики использования полученных 8Юе81 буферных слоев в качестве искусственных подложек для роста структур методом МПЭ.
Исследования роста и фотолюминесценции Ос8 самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных 8Се81 буферных слоях.
4.1 Введение.
4.2 Исследование особенностей роста Ое самоформирующихся островков на релаксированных 8Юе1 буферных слоях с малой шероховатостью поверхности.
4.3 Фотолюминесценция ве островков, заключенных между слоями напряженного .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список цитированной литературы
- Київ+380960830922