ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. АНАЛИЗ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ СПП И ВОЗМОЖНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПРИМЕНЕНИЯ РТП ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ
ИХ ХАРАКТЕРИСТИК.
1.1 Современное состояние производства и применения СПП
1.2 Анализ функционирования различных типов СПП и проблемы оптимизации
их статических и динамических характеристик
1.3 Физические процессы в кремниевых структурах при РТП с
применением высокоэиергетичных электронов
1.3.1 Объемные радиационные эффекты, возникающие в кремнии при
облучении высокоэнергетичными электронами
1.3.1.1 Первичные физические процессы
1.3.1.2 Механизм образования, физическая природа глубоких радиационных центров
1.3.1.3 Термостабильность и кинетика отжига радиационных центров.
1.3.1.4 Изменение основных электрофизических параметров кремния при
облучении быстрыми электронами.
1.3.2 Поверхностные радиационные эффекты.
1.3.3 Изменение характеристик МОП и биполярных кремниевых структур при облучении быстрыми электронами.
1.3.3.1 Диодные структуры
1.3.3.2 Биполярные транзисторные структуры.
1.3.3.3 МДПтранзисторные структуры
1.3.4 Выводы и постановка задач исследований.
ГЛАВА П. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ ПРИБОРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР И ИХ КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ И ОБОРУДОВАНИЕ
2.1 Обоснование выбора типов диодных и транзисторных кремниевых структур,
их конструктивнотехнологические особенности и характеристики
2.2 Методика и оборудование радиационной обработки высокоэнергетическими электронами и термического отжига
2.3 Методики и аппаратура измерения вольтфарадиых характеристик и релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниковых структурах
2.3.1 Методика релаксационной спектроскопии глубоких уровней
2.3.2 Измеритель релаксации емкости.
2.3.3 Методика расчета параметров глубоких уровней из спектра РСГУ
2.4 Аппаратура для измерения статических параметров диодных
и транзисторных структур
2.4.1 Измеритель характеристик полупроводниковых приборов Л2.
2.4.2 Измеритель статических параметров мощных транзисторов и диодов Л2
2.4.3 Метод и аппаратура для измерения емкостей транзисторов
2.5 Методики и аппаратура измерения импульсных параметров диодных
и транзисторных структур
2.5.1 Время восстановления обратного сопротивления диодных структур.
2.5.2 Время переключения биполярных транзисторов
2.5.3 Время переключения ЮВТ транзисторов.
ГЛАВА III. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,
ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ И РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СИЛОВЫХ ДИОДНЫХ И ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР
С ПРИМЕНЕНИЕМ РАДИАЦИОННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
3.1 Диодные силовые структуры с рп переходом.
3.1.1 Влияние режимов операций РТП на импульсночастотные и статические параметры
3.1.2 Повышение радиационной стойкости.
3.1.3 Результаты по улучшению электрических параметров диодных структур
методом РТП
3.2 Транзисторные структуры.
3.2.1 Влияние операций РТП на динамические и статические параметры.
3.2.2 Повышение стойкости к импульсной радиации
3.2.3 Результаты использования РТП для улучшения комплекса электрических параметров транзисторных сгруктур Дарлингтона.
ГЛАВА IV. УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ МЕТОДОМ РТП С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.
4.1 Улучшение динамических параметров
4.2 Изменение статических параметров ЮВТ при РТП.
4.3 Оптимизация режимов радиационного технологического процесса для получения наилучшего сочетания статических и динамических параметров
ЮВТ транзисторов.
4.4 Результаты использования РТП для улучшения комплекса электрических
параметров ГСВТ транзисторов.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922