Введение.
Глава 1. Литературный обзор. Современное производство знакосинтезирующих индикаторов .
1.1. Жидкокристаллические индикаторы на твистэффекте
1.2. Вакуумнолюминесцентные индикаторы.
1.3. Общие конструктивные особенности изделий знакосинтезирующей электроники
1.4. Общие технологические.особенности производства изделий зиакосинтезирующей электроники .
1.5. Краткий анализ литературных данных по конструированию
и технологии производства индикаторных устройств в их серийном производстве.
1.6. Система обеспечения технического уровня и качества продукции
в производстве изделий электронной технике ОАО Рефлектор
Раздел I. Усовершенствование традиционных технологий производства
зиакосинтезирующих индикаторов
Глава 2. Оптимизация процесса получения на электродных пластинах
знакосинтезирующих индикаторов прозрачных ГГОпленок .
2.1. Конденсация, образование зародышей и рост тонких пленок
2.2. Общая характеристика 1ТОпленок, полученных методом вакуумного напыления.
2.3. Модель реактивного распыления индия в магнетронной установке
2.4. Разработка способов управления магнетронным разрядом
при реактивных процессах напыления ГГОпленок
2.5. Технология напыления прозрачных проводящих 1ТОпленок
на магнетронных установках при серийном выпуске электродных плат жидкокристаллических устройств.
2.6. Свойства ГГОпленок, полученных магиетронным реактивным распылением на постоянном токе в производстве
жидкокристаллических устройств
2.7. Анализ атмосферы в камере магнетронного распыления ГГОпленок
2.8. Термическая стабильность электрической проводимости ГГОпленок
2.9. Очистка стеклянных подложек электродных плат.
2 Выводы к главе 2
Глава 3 Оптимизация технологии формирования тонких диэлектрических
ориентирующих жидкие кристаллы слоев пленок в ЖКИ, обеспечивающих заданный угол подвеса молекул ЖК
3.1. Косонапыленные пленки на основе монооксидов
германия и кремния
3.2. Ориентация жидких кристаллов на текстурированных полиимидных пленках
3.3. Модификация ориентирующей поверхности на пластинах жидкокристаллических индикаторов.
3.3.1. Модификация косоиапыленных пленок ЭЮ.
3.3.2. Модификации косонапыленных пленок веО .
3.3.3. Модификация текстурированных полиимидов.
3.4. Выводы к главе 3
Глава 4. Оптимизация вакуумной технологии введения жидких
кристаллов в пакет индикаторов .
4.1. Общие положения
4.2. Влияние технологических процессов введения жидких кристаллов .
в пакет индикаторов на их расход.
4.3. Влияние чистоты оснастки на удельную проводимость
ЖК материалов
4.4. Ориентационные дефекты капиллярной структуры жидкого кристалла в процессе введения его в межэлекгродный зазор.
4.5. Выводы к главе 4
Раздел II. Новые конструкторскотехнологические решения в производстве
знакосинтезирующих индикаторов .
Глава 5. Составы, технологии получения и применения материалов
и растворов в производстве зиакосинтезирующих индикаторов
5.1. Разработка альтернативных материалов и способов создания ориентирующего микрорельефа в жидкокристаллических индикаторах .
5.2. Особенности применения диэлектрических паст и полимерных композитов в производстве знакосинтезирующих индикаторов
5.2.1. Цементы.
5.2.2. Калибраторы
5.2.3. Стсклопорошки.
5.2.4. Адгезионные свойства системы полиимид наполнитель
5.2.5. Герметизирующие полимерные композиции
5.2.6. Электроизоляционная герметизирующая композиция.
5.2.7. Технология применения диэлектрических паст в серийном производстве анодных плат В ЛИ .
5.2.8. Технология нанесения полимерных диэлектрических растворов
5.2.9. Печатные краски трафаретного нанесения.
5.3. Выводы к главе 5 .
Глава 6. Новые конструкторскотехнологические решения
в производстве знакосинтезирующих индикаторов
6.1. Новые групповые методы и технологии формирования топологического рисунка жидкокристаллических индикаторов
6.2. Топологический рисунок для жидкокристаллических дисплеев шахматных миниЭВМ.
6.3. Многоуровневая топология электродных плат индикаторов.
6.4. Электрооптические характеристики жидкокристаллических индикаторов .
6.5. Жидкокристаллические индикаторы с повышенной эксплуатационной надежностью
6.6. Электрогидравлический эффект в технологии производства изделий знакосинтезирующей электроники
6.7. Матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим дисплеем.
6.8. Выводы к главе 6 ..
Раздел III. Автоматизация процесса изготовления знакосинтезирующих
индикаторов на основе новых физикотехнологических решений 3 Глава 7. Автоматизация процесса изготовления пакетов индикаторов
в серийном производстве .
7.1. Сборка корпусов жидкокристаллических индикаторов .
7.2. Автоматический анализ индикаторов на короткие замыкания.
7.3. Технология получения переходного электрического контакта
в жидкокристаллических индикаторах
7.4. Плазмохимическая технология в реализации переходного электрического контакта в индикаторных устройствах .
7.5. Выводы к главе 7 .
Глава 8. Контроль качества жидкокристаллических материалов
в производственных условиях .
8.1. Химический состав.
8.2. Диэлектрические константы и диэлектрическая проводимость
8.3. Оптические константы жидкокристаллических материалов .
8.4. Установка типа СМ5М комплексных электрических испытаний жидкокристаллических материалов.
8.5. Выводы к главе 8 .
Основные выводы
Литература
- Київ+380960830922