ВВЕДЕНИЕ
, Глава 1. МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ МАТЕРИАЛОВ
Г МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
1.1. Свойства сегнетоэлектриков вводные замечания
1.2. Методы получения сегнетоэлектрических пленок
1.2.1. Метод зольгель
1.2.2. Магнетронное напыление
1.2.3. Лазерная абляция
1.2.4. Метод химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений
1.3. Применение сегнетоэлектрических материалов в микроэлектронике
1.3.1. Сегнетоэлектрическая память состояние и перспективы
1.3.1.1. Материалы П1АМ
1.3.1.2. Структура ячеек
1.3.1.3. Перспективы развития технологии ШАМ
1.3.2. Другие области применения сегнетоэлектрических материалов
1.4. Краткий обзор существующих методик диагностики материалов
микроэлектроники
1.4.1. Неоптические методики
1.4.1.1. Рентгеноструктурный анализ
1.4.1.2. Методы электронной микроскопии
1.4.1.3.Методы сканирующей зондовой микроскопии
1.4.2. Оптические методики
1.4.2.1. Эллипсометрия
1.4.2.2. Рамановская спектроскопия
1.4.2.3. Люминесценция
Глава 2. Генерация второй оптической гармоники в тонких
сегнетоэлекгрических пленках базовый формализм и экспериментальные
методики
2.1. Феноменологическое описание нелинейнооптического отклика сред
2.1.1. Феноменологическое описание нелинейной поляризации и поля ВГ
2.1.2. Связь параметров оптической ВГ и сегнетоэлектрической
поляризации
2.1.2.1. Параэлекфичсская фаза
2.1.2.2. Сегнетоэлектрическая фаза
2.1.3. Анизотропия квадратичной нелинейной поляризации
2.1.4. Генерация второй гармоники в пространственнонеоднородных тонких пленках
2.1.5. Нелинейнооптический отклик многофункциональных сред
2.2. Экспериментальные установки для исследования нелинейнооптического отклика сред
2.2.1. Базовые схемы эксперимента и источники излучения
2.2.2. Системы регистрации
2.2.3. Структурные исследования схема эксперимента
2.2.4. Исследование рассеянного сигнала ВГ индикатрисы рассеяния
2.2.5. Экспериментальная схема микроскопии ВГ
2.2.5.1. Экспериментальная схема сканирующей микроскопии ВГ
2.2.5.2. Микроскопия изображения
2.2.6. Экспериментальная схема методики накачкапроба
2.3. Особенности изготовления образцов
2.3.1. Изготовление тонких пленок титаната бария стронция БСТ методом магнетронного напыления
2.3.2. Изготовление тонких пленок цирконататитаната свинца ЦТС и титаната бариястронция БСТ методом зольгель
2.3.2.1. Изготовление пленок ЦТС
2.3.2.2. Изготовление пленок БСТ
Глава 3. МЕТОДИКА НЕЛИНЕЙНООПТИЧЕСКОЙ ДИАГНОСТИКИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
3.1. Методика исследования субмикронной доменной структуры методом генерации ВГ
3.1.1. Модельная структура полидоменной пленки
3.1.2. Поляризационные зависимости интенсивности ВГ
3.1.2.1. Поляризационные диаграммы в МСД модели.
3.1.2.2. Поляризационные диаграммы в модели МОД
3.2. Экспериментальное исследование субмикронной доменной структуры тонких пленок БСТ
3.2.1. Изготовление образцов и исследование структуры методом атомносиловой микроскопии
3.2.2. Экспериментальное исследование субмикронной доменной структуры тонких нленок БСТ методом генерации второй оптической гармоники
3.2.2.1. Исследование рассеянного сигнала ВГ индикатрисы рассеяния
3.2.2.2. Исследование поляризационных зависимостей интенсивности ВГ экспериментальные данные и аппроксимация в рамках предложенных моделей
3.2.3 Размерные эффекты в свойствах тонких пленках БСТ
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРТУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МИКРОСКОПИИ ВГ
4.1. Микроскопические исследования доменной структуры материалов обзор литературы
4.2. Экспериментальные исследования доменной структуры тонких сегнегоэлектричсских пленок методом сканирующей микроскопии ВГ
4.2.1. Сканирующая микроскопия ВГ для исследования доменной структуры тонких пленок ЦТС при приложении внешнего ПОЛЯ перпендикулярно поверхности пленки
4.2.1.1. Изготовление образцов и детали эксперимента
4.2.1.2. Исследования методом элекгросиловой микроскопии зависимости особенностей поляризации гонких пленок ЦТС .от состава пленки
4.2.1.3. Локальная диагностика картирование состояния поляризации в тонких пленках ЦТС
4.2.2. Сканирующая микроскопия ВГ для исследования состояния поляризации тонких пленок БСТ при приложении внешнего поля в плоскости пленки
4.2.2.1. Изготовление образцов и детали эксперимента
4.2.2.2. Экспериментальные исследования состояния поляризации тонких пленок БСТ при приложении внешнего поля в плоскости пленки
4.3. Диагностика состояния поляризации в тонких пленках ЦТС методом микроскопии ВГ
4.3.1. Изготовление образцов и детали эксперимента
4.3.2. Исследование динамики состояния поляризации
Глава 5. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ ГВГ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ
5.1. Процессы переключения в тонких сегнетоэлектрических пленках обзор литературы
5.2. Экспериментальные исследования методом ГВГ наносекундного переключения
5.2.1. Изготовление образцов и детали эксперимента
5.2.2. Модель доменной структуры пленки
5.2.2.1. Схема изменения внешнего напряжения два типа импульсов
52. Зависимость интенсивности ВГ от угла рассеяния индикатрисы рассеяния при приложении переменного электрического ПОЛЯ
5.2.2.3. Зависимость интенсивности ВГ от угла поворота поляризатора поляризационные диаграммы
5.2.3. Зависимость интенсивности ВГ от приложенного напряжения при наносекундном переключении
Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР
6.1. Методы изготовления, диагностика наноэлементов и перспективы развития устройств на их основе обзор литературы
6.1.1. Обзор существующих методик изготовления и диагностики наноструктур
6.1.2. Перспективы развития нанотехнологий
6.2. Сегнстоэлектрические наноструктуры на основе пористого оксида алюминия
6.2.1. Метод изготовления наноструктур и детали эксперимента
6.2.2. Исследования наноструктур методом растровой электронной микроскопии
6.2.3. Исследования наноструктур методом атомносиловой микроскопии АСМ
6.2.4. Сегнстоэлектрические свойства наноструктур
6.2.5. Исследования наноструктур БСТА0з методом микрорамановской спектроскопии
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922