Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой

ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ПАРАМЕТРЫ
БОЛЬШОГО СИГНАЛА МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ .
1.1. Конструкции и особенности физических основ работы
мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
1.2. Вольтамперные характеристики мощных МОПтранзисторов
1.3. Короткоканальные эффекты в МОПтранзисторах.
1.4. Малосигнальные эквивалентные схемы ВЧ и СВЧ ДМОП
транзисторов.
1.5. Малосигнальные параметры Спи, Сгги, Сюи гс и методы их
расчетов
1.6. Параметры большого сигнала Рь Кур, тс, для усилителей
мощности на ДМОП транзисторах и их связь с малосигнальными параметрами
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.
ГЛАВА 2. МОДЕЛИ ДЛЯ РАСЧЕТОВ МАЛОСИГНАЛЬНЫХ
ПАРАМЕТРОВ ДМОП ТРАНЗИСТОРОВ Си и, С и, С и.
2.1. Аналитическая модель для расчета зависимости проходной емкости С и от напряжения стокисток си для ДМОПтранзисторов с вертикальной структурой.
ь 2.2. Аналитическая модель для расчета зависимости входной
емкости Спи от напряжения стокисток иси для ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.
. 2.3. Аналитическая модель для расчета зависимости выходной емкости Си от напряжения стокисток иси для ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.
V ГЛАВА 3. МОДЕЛИ ДЛЯ РАСЧЕТА СОПРОТИВЛЕНИЯ СТОКА В ДМОП
ТРАНЗИСТОРАХ С ВЕРТИКАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ.
ЗЛ. Модель расчета сопротивления стока гс в ДМОП транзисторах с затворным окислом переменной толщины между истоковыми ячейками
3.2. Сопротивление стока в мощных МОП СВЧ транзисторах с двойной диффузией и горизонтальной структурой
3.3. Сравнение рассчитанных значений сопротивления стока гс с паспортными значениями И.си для разработанных ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТЕЙ ВХОДНОЙ, ВЫХОДНОЙ И ПРОХОДНОЙ ЕМКОСТЕЙ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ СТОКИСТОК ДЛЯ СВЧ ДМОП ТРАНЗИСТОРОВ РАЗНЫХ ТИПОВ.
4.1. Методика измерения входной, выходной и проходной Сц и,
С и Спи емкостей СВЧ МОП транзисторов
4.2. Сравнительный анализ экспериментальных зависимостей Сцииси, С иПси, Спииси с теоретически
рассчитанными аналитическими зависимостями для СВЧ ДМОП транзисторов
4.3. Применение предложенных моделей расчета малосигнальных параметров Сц и, С2ги Си и и гс при проектирования топологии мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ