СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава 1 Магнитоэлектрическое взаимодействие.
1.1 Магнитоэлектрические материалы.
1.2 Магнитные свойства электронов и электронная структура
атомов.
1.3 Природа магнитоэлектрического взаимодействия.
1.4 Магнитный резонанс.
1.5 Феноменологическая теория резонансного
магнитоэлектрического эффекта
1.6 Выводы.
Глава 2 Кристаллическое поле
2.1 Одноионная модель
2.2 Способы описания кристаллического поля.
2.3 Метод расчета. Эквивалентные операторы.
2.4 Операторы Рака.
2.5 Методика расчета параметров кристаллического поля для
кристаллов Сг3 и РеВОз.,.
2.6 Выводы.
Глава 3 Теория резонансного магнитоэлектрического эффекта для антиферромагнитного кристалла Сг3.
3.1 Описание модели
3.2 Расчет энергетического спектра.
3.3 Расчет изменения энергии магнитной анизотропии.
Определение сдвига резонансной частоты.
3.4 Выводы.
Глава 4 Микроскопическая модель резонансного магнитоэлектрического эффекта для кристалла ГеВОз.
4.1 Особенности кристалла бората железа
4.2 Расчет энергетического спектра для ионов в 5состоянии
4.3 Разложение свободной энергии кристалла.
Сдвиг линии магнитного резонанса
4.4 Выводы.
Глава 5 Практическое применение.
5.1 Области применения результатов.
5.2 Преимущества магнитоэлектрических кристаллов.
5.3 Магнитоэлектрические фазовращатели,
модуляторы и переключатели
5.4 Выводы.
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922