СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1 Анализ применения силицидов переходных металлов в микроэлектронике и методов их формирования
1.1 Свойства силицидов переходных металлов и области
их применения.
1.2 Способы получения силицидов переходных металлов.
1.3. Выводы, постановка цели и задач диссертационного
исследования
2 Моделирование процесса ионнолучевого перемешивания атомов в структуре хромкремний при облучении ионами инертных газов
2.1 Анализ моделей процесса ионной имплантации
в твердых телах
2.2 Разработка модели процесса ионнолучевой
обработки структуры хромкремний.
2.3 Выводы
3 Анализ диаграмм состояния силицида хрома, сформированного ионнолучевой обработкой
3.1 Синтез силицидов под действием ионной обработки
3.2. Особенности диаграмм состояния силицида хрома,
образованного в результате ионной обработки структуры
хромкремний.
3.3 Выводы.
4 Моделирование электронного энергетического строения кремния, содержащего атомы хрома
4.1 Методика моделирования электронного энергетического строения кремния.
4.2 Электронное энергетическое строение кремния, содержащего атом замещения хрома.
4.3 Электронное энергетическое строение кремния, содержащего комплекс атом замещения хрома
атом замещения примеси.
4.4 Выводы.
5 Моделирование электронного энергетического строения
структур кремний тонкие слои переходных металлов кремний
5.1 Электронное энергетическое строение структуры кремний 1 никель хром кремний 1
с различной толщиной металлического слоя.
5.2 Распределение потенциала в структуре кремний никельхром кремний.
5.3 Рекомендации по возможности применения разработанных моделей и методов в микроэлектронике.
5.4 Выводы.
Заключение
Список использованных источников
- Київ+380960830922