Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов методом Монте-Карло с учетом квантовых эффектов

Оглавление
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Совершенствование конструкции полевых транзисторов.
1.2. Классические методы моделирования
1.3. Квантовые методы моделирования.
Глава 2. Классическая модель баллистического полевого транзистора
2.1. Моделирование контакта истокканал транзистора.
2.2. Движение в канале транзистора зонная структура и рассеяние
2.3. Эффекты пространственного заряда.
Глава 3. Квантовые эффекты в полевом нанотранзисторе.
3.1. Эффекты, связанные с поперечным квантованием носителей в канале транзистора.
3.1.1. Изменение порогового напряжения и тока открытого транзистора.
3.1.2. Квантовый транспорт в канале транзистора.
3.1.3. Емкость каналзатвор.
3.2. Статистика ФермиДирака
3.3. Туннелирование.
Глава 4. Программа МонтеКарло ВАЬ1 с учетом квантовых эффектов .
4.1. Решение уравнения Пуассона.
4.1.2. Область вычислений и граничные условия
4.1.3. Методика вычислений.
4.2. Вычисление концентрации
4.2.1. Модель
4.2.2. Заброс частиц.
4.2.3. Рассеяние.
4.2.4. Расчет траектории.
4.2.5. Переход к макроскопическим параметрам.
4.2.6. Учет поперечного квантования в канале
Глава 5. Обсуждение результатов моделирования и рекомендации по
конструкции транзисторов
Выводы.
Заключение.
Литература