Ви є тут

Конструкторско-технологические принципы проектирования и изготовления радиоэлектронных компонентов из сверхпроводящих иттрий-бариевых купратов

Автор: 
Фирсов Николай Илларионович
Тип роботи: 
Дис. д-ра техн. наук
Рік: 
2004
Артикул:
568601
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ.
1 ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СВЕРХПРОВОДНИКОВ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВАХ
1.1 Основные свойства сверхпроводников.
1.1.1 Критическая температура и критическое магнитное поле.
1.1.2 Куперовские пары и нормальные возбуждения в сверхпроводнике.
1.1.3 Квантовые свойства куперовских пар.
1.1.4 Разрушение сверхпроводящего состояния
1.2 Эффект Джозефсона
1.2.1 Туннелирование куперовских пар в системе сверхпроводникизоляторсверхпроводник Б
1.2.2 Стационарный и нестационарный эффекты
Джозефсона в туннельных структурах
1.2.3 Влияние магнитного поля на джозефсоновский переход.
1.2.4 Эффекты Джозефсона в слабосвязанных сверхпроводниках
1.2.5 Системы джозефсоновских контактов
1.3 Применение слабосвязанных сверхпроводников. СКВИДмагнитометры
1.3.1 Физические основы работы магнитометров.
1.3.2 Принципиальная блоксхема ВЧ СКВИДа и анализ ее работы
1.3.3 Шумы ВЧ СКВИД магнитометра
1.3.4 Техническая реализация ВЧ СКВИД магнитометров.
1.3.5 Электронные устройства на основе СКВИДов
1.4 Активные и пассивные ВТСП элементы в электронных устройствах.
1.4.1 Формирование рынка ВТСП элементов.
3.4.2 Характеристики современных ВТСП СКВИДов.
1.4.3 Основные характеристики ВТСП магнитных экранов
Ь 1.4.4 Материалы для изготовления ВТСП элементов
электронной техники
1.5 Цель и задачи исследований.
2 ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ И РЕЗИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА ИТТРИЙ БАРИЕВЫХ КУПРАТОВ
2.1 Схема технологического маршрута
2.2 Выбор и дозировка исходного сырья
2.3 Выбор режимов помола смеси и брикетирование.
2.4 Граничные режимы и особенности протекания твердофазной реакции в системе УОз ВаСОз СиО.
2 5 Методы контроля I стадии технологического процесса
2.6 Выбор режимов дробления спека, помола и таблетирования
2 7 Граничные режимы высокотемпературного отжига ВТО
2.8 Качественная модель физикохимических процессов при ВТО.
. Морфологические особенности иттриевой керамики
2.9 Факторный эксперимент для технологических режимов изготовления керамики
Резюме к главе 2
3 ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКРАНИРУЮЩИХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ВТСП МАГНИТНЫХ ЭКРАНОВ
3.1 Метод горячег о литья под давлением.
3.2 Технологические режимы изготовления ВТСП объемных
магнитных экранов.
3.3 Коэффициент экранирования монолитного и составного ВТСП магнитных экранов
3.4 Модель джозефсоновской среды и основные внутренние параметры керамических ВТСП магнитных экранов
3.5 Резюме к главе 3
4 ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ОБЪЕМНЫХ ВТСП КВАНТОВЫХ ИНТЕРФЕРОМЕТРОВ
РАЗЛИЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ
4.1 Технология изготовления объемных ВТСП интерферометров
4.2 Методика определения работоспособности ВТСП
интерферометров.
4.3 Технологические приемы улучшения параметров ВТСП интерферометров и технология восстановления их работоспособности
4.4 Методы защиты слабой связи ВТСП интерферометров
4.5 Резюме к главе 4.
5 ОСНОВНЫЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВТСП ВЧ СКВИДМАГНИТОМЕТРА И ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ НА
ЕГО ОСНОВЕ
5.1 Исследование работы СКВИДмагнитометра на основе объемных ВТСП интерферометров различных конструкций.
5.2 Исследование основных технических характеристик ВТСП градиентометра для магнитокардиографа.
5.3 Исследование основных технических характеристик установки для измерения магнитной восприимчивости на основе
ВТСП ВЧ СКВИДмагнитометра
5.4 Применение объемных ВТСП СКИ и магнитного экрана в измерителе ослабления электромагнитных колебаний в радиочастотном диапазоне
5.5 Резюме к главе 5.
6 ХИМИКОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ГРУППОВОГО СПОСОБА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ
ВТСП РАДИОКОМПОНЕНТОВ.
6.1 Технология изготовления толстых пленок.
6.2 Электрофизические свойства толстых поликристаллических пленок УВагСщОбх.
6.3 Оценка внутренних параметров толстых пленок из вольтполевых характеристик
6.4 Технологический маршрут и основные технологические операции изготовления толстопленочных ВТСП микроэлементов
6.5 Микропрофилирование керамических пластин
6.6 ВТСП спиральный резонатор с перестраиваемой частотой
6.7 Проектирование толстопленочного интерферометра
ВТСП квантового интерферометра.
6.8 Резюме к главе 6
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА