Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ТЕОРИЯ МОП ТРАНЗИСТОРА
1.1. Уравнение Пуассона
1.2. ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯМ В ИНВЕРСИОННОМ СЛОЕ
1.3. УРАВНЕНИЕ НЕПРЕРЫВНОСТИ
1.4. ВЫЧИСЛЕНИЕ УПРАВЛЯЮЩЕГО ПАРАМЕТРА К
1.5. ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МОПТ
Выводы
ГЛАВА 2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В КАНАЛЕ МОП ТРАНЗИСТОРА
2.1. Характеристики МОПТ с учетом зависимости подвижности от продольного
ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
2.2. Статическое экранирование в инверсионном слое
2.3. Эффективная подвижность, обусловленная рассеянием на шероховатостях границы раздела ii
Выводы
ГЛАВА 3. КИНЕТИКА НАКОПЛЕНИЯ И ОТЖИГА РАДИАЦИОННО ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА В ОКИСЛЕ И МЕТОД ПРОГНОЗИРОВАНИЯ
3.1. Математическая модель туннельного отжига радиационноиндуцированного
ДЫРОЧНОГО ЗАРЯД В ОКИСЛЕ ВБЛИЗИ ГРА1ШЦЫ I12
3.1.1. Импульсное облучение
3.1.2. Стационарное облучение
3.1.3. Отжиг после окончания облучения
3.2. Накопление поверхностных состояний
3.3. Параметры модели
3.4. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ РАДИАЦИОННОСТИМУЛИРОВАННОГО ОТЖИГА В ОКИСЛЕ МОП ТРАНЗИСТОРА
4.1. Сечения захвата
4.2. Кинетика радиационноиндуцированной перезарядки ловушек в окисле
4.3. аналитическое решение системы кинетических уравнений
4.4. Численное решение системы кинетических уравнений
4.5. Переключения смещения на затворе
4.6. совместный учет туннельного и радиационноиндуцированного отжига и проблема
АСЫЩЕНИЯ РОСТА ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО ЗАРЯДА В ОКИСЛЕ
4.6.1 Кратковременное облучение Цт4 или х,
4.6.2 Долговременное облучение Т или ii
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 5. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СПЕКТРОВ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ
5.1. Краткий обзор методов определения спектров поверхностных состояний
5.1.1. Подпороговые методы i i
5.1.2. Метод зарядовой накачки
5.1.3. Метод надпороговой крутизны
5.2. Перезарядка ПС как источник искажгл 1Ий передаточной ВАХ
5.3. Метод эффекта поля
5.4. метод смещения на подложке
5.5. Обсуждение
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 6. РАДИАЦИОННОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ КАК ПЕРЕЗАРЯЖАЕМЫЕ ДЕФЕКТЫ В ОКИСЛЕ И НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА 1
6.1. Экспериментальные результаты
6.2. Противоречие со стандартным представлением
6.2.1. Напряжение середины зоны
6.2.2. Подпороговый наклон
6.3. Концепция перезаряжаемых состояний
6.4. Единое описание процессов обратимой перезарядки
6.4.1. Кинетическое уравнение
6.4.2. Решение нестационарного кинетического уравнения
6.4.3. Изменение заряда на ловушках
6.4.4. Концепция пространственноэнергетического туннельного фронта
6.4.5. Вычисление количества ловушек, перезаряжаемых за развертку
6.5. Обсуждение и сравнение с экспериментом
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 7. МОДЕЛЬ БИСТАБИЛЬНОЙ КОНФИГУРАЦИЯ Е ЦЕНТРА
7.1. Дефекты вблизи границы раздела и особенности накопления радиационноиндуцированных поверхностных состояний
7.2. Эмпирическая модель бистабильного Е центра
7.2.1. Возможная бистабильность Ецентра
7.2.2. Интерпретация результатов ЭПР в работе Ленахана.
7.3. Энергетическая модель бистабильного Е центра аналитический подход
7.3.1. Энергетическая модель
7.3.2. Механическая стабильность
7.3.3. Точка неустойчивого равновесия
7.4. Переключения конфигураций Ецентра под действием электрического поля
7.4.1. Учет взаимодействия диполя с электрическим полем
7.4.2. Адиабатические термы при разных величинах и направлениях электрических полей
7.4.3. Энергетический барьер охлопывания Ецентра как функция о
7.4.4. Энергия активации трансформации из нейтральной в дипольную конфигурацию
7.5. Численный анализ процессов переключения между двумя бистабильными конфигурациями
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 8. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕГРАДАЦИИ МОП ТРАНЗИСТОРОВ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ И ИХ ВЗАИМОСВЯЗИ С РАДИАЦИОННОЙ ДЕГРАДАЦИЕЙ
8.1. Масштабирование и радиационный отклик приборов
8.2. Инжекция горячих носителей в окисел
8.3. Модель
8.4. Деградация крутизны
8.5. Эксперимент 1 и
ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ