Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии

Оглавление
Введение
1. История развития и современное состояние литографии.
2. Тенденции развития литографии
3. Недостатки разрабатываемых методов литографии и обращение волнового фронта ОВФ.
3.1 Методы достижения ОВФ
3.1.1 Вырожденное четырехволновое смешение ВЧВС.
3.1.2 Вынужденное Рассеяние МандельштамаБриллюэна
4. Описание предыдущих экспериментов по формированию изображения для литографии с помощью ОВФ.
4.1 Эксперимент 1
4.2 Эксперимент 2
4.1 Эксперимент 3
5. Предлагаемая схема формирования изображения литографии и ее описывающая математическая модель
5.1 Математическая модель, описывающая схему.
6. Нахождение конструкции предлагаемой схемы формирования изображения с наилучшим разрешением
6.1 Максимальное значение ЫА.
6.2 Нахождение параметра к
6.3 Минимальный прорабатываемый в резисте размер бМИ1рсзи конструкция схемы формирования изображения.
7. Нахождение глубины фокуса
8. Нахождение времени экспонирования кадра
8.1 Нахождение максимального коэффициента пропускания света полупрозрачными зеркалами К,ср.
8.2 Коэффициент отражения света от шаблона и полученное время экспонирования.
9. Анализ полученных параметров предлагаемой схемы формирования изображения 1
. Возможность распространения предлагаемого принципа литографии в область меньших длин волн электромагнитного излучения
. Анализ стоимости изготовления предлагаемой системы формирования изображения
Заключение.
Приложения.
Список литературы