Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В БИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУРАХ
1.1. Работа полупроводникового диода в режиме переключения
1.2. Методы определения времени жизни неосновных носителей
1.3. Физические модели статических и переходных характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором БТИЗ
1.3 Л. Работа БТИЗ в статическом режиме.
1.3.2. Физические модели переходных процессов в БТИЗ
1.4. Выводы к главе 1.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ И ВРЕМЕНИ ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ДИОДОВ
2.1. Анализ работы диода при воздействии синусоидального сигнала большой амплитуды
2.2. Методика определения временижизни неосновных носителей в базе диода с помощью синусоидального сигнала большой
амплитуды
2.3. Методика определения времени обратного восстановления мощных быстродействующих диодов с помощью трапецеидального импульса.
2.4. Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТРАНЗИСТОРЕ С ИНЖЕКЦИЕЙ, УСИЛЕННОЙ ЗАТВОРОМ ШОТ
3.1. Аналитический расчет распределения носителей заряда и падения напряжения на пбазе 1ЕСТ в одномерном приближении
3.2. Квазидвумерный расчет статических параметров транзистора
3.2.1. Моделирование процессов растекания тока.
3.2.2. Расчет падения напряжения на пбазе 1ЕСТ
3.3. Переходные процессы в транзисторе 1ЕСТ
3.4. Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. ПЕРЕХОДНИЕ ПРОЦЕССЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ БТИЗ
4.1. Переходные процессы при выключении высоковольтных БТИЗ в схеме полумоста.
4.2. Методика определения времени жизни в высоковольтных БТИЗ при выключении с постоянным напряжением 1,ткэ.
4.3. Выводы к главе 4.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ЛИТЕРАТУРА
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность