Ви є тут

Влияние процессов переноса заряда на оптические свойства фоторефрактивных сред для записи информации

Автор: 
Стоянов Алексей Владимирович
Тип роботи: 
ил РГБ ОД 61
Рік: 
2233
Артикул:
4424
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Введение.
Гл.1. Теория фотогальванического эффекта на примесных
комплексах кристаллов.
5 1.1. Модельные потенциалы. Тб
1.2. Модель примесного комплекса, состоящего из 5 центра и кулоновского центра.
.3. Модель двух центров.
.4. Применение моделей примесных комплексов к
расчету ГТ в некоторых кристаллических структурах. Приложение.
Гл.2. Особенности фоторефракции, наводимой ограниченными световыми пучками з кристаллах с фотогальваническим переносом зарядов.
Гл.З. Теория фотоиндуцированного рассеяния света в
фоторефрактивных средах.
.1. Фотоиндуиированное рассеяние в средах с локальным откликом оютогальванический механизм оторей
А 1 Л
ракции.
3.1.1. Рассеяние под углом .
3.1.2. Рассеяние под малыми углами.
.2. Фотоиндуцированное рассеяние сьета в кристаллах
с диффузионным механизмам фоторефракции.
Приложение.
Заключение. Г
Список литературы