Разработка технологии лазерного разделения приборных пластин на кристаллы

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава I. Традиционные технологии и оборудование для резки приборных пластин на кристаллы обзор
1.1. Тенденция развития рынка современных приборов микро и
оптоэлектроники
1.2. Основные методы механической резки приборных пластин на
кристаллы.
1.2.1. Резка приборных пластин на кристаллы диском с нанесенным алмазным покрытием.
1.2.2. Скрайбирование сапфировых приборных пластин алмазным инструментом.
1.3. Лазерное скрайбирование приборных пластин.
1.3.1. Скрайбирование сапфировых подложек со светодиодами твердотельным УФ лазером с системой обнаружения края v .
1.3.2. Скрайбирование сапфировых подложек с нанесенным слоем нитрида галлия УФ лазером с длиной волны излучения 05 нм i i
1.3.3. Разделение приборных пластин из кремния методом нанесения микродефектов внутри пластины i КК.
1.3.4. Разделение приборных пластин из кремния методом нанесения микродефектов внутри пластины i i
1.3.5. Резка на кристаллы подложек из арсенида галлия и кремния водяной струей, проводящей лазерное излучение v
Глава 2. Анализ метода лазерного управляемого термораскалывания ЛУТ хрупких неметаллических материалов
2.1. Особенности процесса сквозного лазерного термораскалывания
2.2. Физическая модель процесса ЛУТ
2.3. Основные факторы, определяющие параметры процесса ЛУТ
2.4. Влияние оптических и теплофизических свойств материала на выбор параметров технологического процесса
2.5. Требования, предъявляемые к выбору параметров лазерного излучения для ЛУТ различных материалов.
2.6. Выводы и постановка задачи исследований.
Глава 3. Теоретические основы метода лазерного управляемого термораскалывания тонких пластин с большой теплопроводностью на примере сапфира и кремния.
3.1. Температурные ноля при лазерном нагреве и последующем охлаждении хрупкого материала
3.2. Температурные напряжения при ЛУТ тонких пластин из кремния, арсенида галлия и сапфира.
Глава 4. Разработка технологического процесса лазерного управляемого термораскалывания приборных пластин на кристаллы
4.1. Влияние оптических и теплофизических свойств материала на выбор параметров технологического процесса
4.2. Оптимизация технологических режимов ЛУТ для подложек из кремния, арсенида галлия и сапфира
4.3. Разделение приборных пластин из сапфира на кристаллы на заданную глубину
Глава 5. Разработка технологического оборудования для лазерной резки приборных пластин на кристаллы.
5.1. Расчет и разработка оптических фокусирующих систем для резки приборных пластин размером от до мкм
5.2. Разработка специализированной форсунки для подачи хладагента, обеспечивающей достижение максимального градиента температур нагрев охлаждение.
5.3. Разработка концепции и конструкции универсальной технологической установки для резки приборных пластин из различных материалов.
Выводы.
Список литературы