СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1 Современное состояние конструкций и технологии изготовления элементов нелинейной емкости.
1.1 Анализ элементов нелинейной емкости, управляемой напряжением
1.2 Основные параметры нелинейных емкостей.
1.3 Обзор технологии изготовления полупроводниковых варикапов .
2 Решение уравнения Пуассона и расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчатоградиентным профилем распределения примеси
2.1 Решение уравнения Пуассона для ступенчатоградиентного профиля распределения примеси в базе варикапа
2.2 Расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато градиентным профилем распределения примеси.
2.3 Оптимизация профилей легирующей примеси
Выводы.
3. Технология изготовления полупроводниковой структуры со ступенчатоградиентным профилем распределения примеси
3.1 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом диффузии
3.2 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом ионной имплантации
3.3 Расчет технологических режимов молекулярнолучевой эпитаксии.
4 Моделирование варикапа со сверхрезким рп переходом в системе сквозного моделирования полупроводниковых приборов I 7.0.
4.1 Методика проведения моделирования в программном пакете I 7.0
4.2 Моделирование технологии изготовления варикапа с помощью интерактивного компоновщика двумерных структур
4.3 Моделирование технологии изготовления варикапа в программе I
4.4 Описание моделирования статических характеристик структуры в программе I
4.5 Описание моделирования статических характеристик полученной структуры в программе I.
Выводы.
Заключение.
Список использованных источников
- Київ+380960830922