Введение
1. Состояние вопроса о технологии сверхпроводящих туннельных переходов субмикронных размеров.
1.1. Системы материалов для электродов и барьера сверхпроводящих туннельных переходов
1.1.1. Свинцовый проект I и другие ранние попытки создания сверхпроводящих туннельных структур
1.1.2. Технологии на основе композиционной пленки x
1.2. Анализ современных методов изготовления x туннельных переходов субмикронных размеров .
1.2.1. Методы формирования туннельного барьера
с разрывом вакуума x i
1.2.2. Методы формирования туннельного барьера
в едином вакуумном цикле i i
1.3. Выводы и постановка задачи исследования.
2. Экспериментальное исследование структуры границ раздела в композиционной пленке x
2.1. Технологические аспекты формирования композиционной пленки x.
2.1.1. Напыление ниобия
2.1.2. Напыление алюминия
2.1.3. Сборка 1ЬЛ1 x многослойной структуры
2.1.4. Вольтампсрные характеристики полученных туннельных переходов.
2.2. Выбор метода исследования структуры границ раздела в композиционной пленке МЬА1 АЮХЫЬ .
2.3. Физические основы метода спектроскопии энергетических потерь отраженных электронов
2.4. Результаты исследования границ раздела в композиционной пленке МЬА1 АЮхМЬ
2.5. Выводы
3. Разработка технологии получения сверхпроводящих туннельных переходов субмикронньтх размеров
3.1. Формирование области туннельного перехода
3.1.1. Маска для травления туннельных переходов
3.1.2. Режим травления туннельных переходов . .
3.2. Создание верхнего и нижнего электродов АЬА1 АХЬ переходов.
3.3. Формирование мсжслойной изоляции
3.4. Удаление резистной маски но окончании процесса травления
3.5. Этапы технологического процесса.
3.6. Электрические характеристики сверхпроводящих туннельных переходов субмикронных размеров . . .
3.6.1. Вольтамперные характеристики при температуре жидкого гелия 4 К
3.6.2. Результаты измерений при температурах 0 мК.
3..3. Зависимость тока от сверхпроводящей фазы
и измерение величин малых критических токов 9 3.7. Выводы
4. Исследование применения субмикроииых x переходов в качестве датчика температуры в диапазоне ниже 1К
4.1. Современная температурная шкала и датчики температур
4.1.1. Принципы международной температурной
шкалы МТШ
4.1.2. Датчики температур ниже К
4.2. Физические основы измерения температуры с помощью металлических туннельных переходов
4.3. Опыт применения датчика температуры в субкельвинном диапазоне .
4.4. Оценка метрологических характеристики датчика температуры в субкельвинном диапазоне.
4.4.1. Точность измерения
4.4.2. Работа в условиях магнитного ноля.
4.4.3. Помехоустойчивость
4.5. Выводы.
Заключение
Литература
- Київ+380960830922