Ви є тут

Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова

Автор: 

Полигач Євген Олегович

Тип роботи: 

Дис. канд. наук

Рік: 

2003

Артикул:

0403U001717

129 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Рекомбінаційні процеси та електрофізичні властивості низькорозмірних систем на основі дийодиду свинцю і кисневмісних сполук цинку
• Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах, детекторах оптичного та гамма-випромінювання на основі CdxHg1-xTe (x>0.6)
• Економіко-організаційний механізм розвитку логістичних процесів у виробничій сфері
• Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отримані методом радикало - променевої епітаксії
• Ефективність фотоелектричного перетворення в тонкоплівкових сонячних елементах та Х-променевих детекторах на основі CdTe
• Фізичні основи синтезу та електропровідність суперіонних сплавів систем Ag-Ge(Sn)-S-Br(I)
• Баричні ефекти та полікритичні явища в сегнетоактивних напівпровідниках групи A2IVB2VC6VI із неспівмірними фазами
• Механізми люмінесценції в дифузійних шарах широкозонних II-VI напівпровідників.
• Оптичні властивості та електропровідність органічних напівпровідників на основі спряжених поліариленів
• Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si)