ЗМІСТ
Стор.
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. Дефекти кристалічної структури і їх роль у
формуванні властивостей монокристалів арсеніду галію (огляд
літератури).
1.1. Вплив ростових дефектів на властивості нелегованих
кристалів різної природи.
1.1.1. Точкові дефекти.
1.1.2. Дислокації.
1.1.3. Центри EL2.
1.2. Зміна фізичних характеристик кристалів у процесі відпалу.
1.2.1. Вплив відпалу на об'ємні властивості кристалів.
1.2.2. Вплив відпалу на поверхневі властивості кристалів.
1.2.3. Термодифузія домішок.
Висновки і вибір напрямків досліджень.
РОЗДІЛ 2. Методика експерименту.
2.1. Методики підготовки кристалів до досліджень, визначення
їх структурних параметрів і проведення термічних процесів.
2.1.1. Підготовка зразків до вимірювань.
2.1.2. Визначення вакансійного складу кристалів.
2.1.3. Визначення щільності дислокацій, концентрації
дрібних акцепторних центрів і центрів EL2.
2.1.4. Методики проведення термообробки і дифузії домішок.
2.2. Методи вимірювання спектрів випромінювання.
2.2.1. Вимірювання спектрів фотолюмінесценції.
2.2.2. Вимірювання спектрів селективного збудження
люмінесценції.
2.2.3. Похибки при дослідженні випромінювальних
характеристик.
2.3. Визначення електрофізичних параметрів.
2.3.1. Визначення питомого опору.
2.3.2. Визначення рухливості основних носіїв струму.
2.3.3. Визначення концентрації носіїв заряду.
2.3.4. Визначення часу життя неосновних носіїв струму.
2.4. Вимірювання механічних напружень.
Висновки.
РОЗДІЛ 3. Вплив режимів відпалу на зміну властивостей
монокристалів арсеніду галію з різним відхиленням
складу від стехіометричного.
3.1. Зміна об'ємних властивостей кристалів при
гомогенізуючому і розчинюючому відпалах.
3.1.1. Аналіз структури кристалів напівізолюючого
нелегованого арсеніду галію.
3.1.2. Гомогенізуючий відпал.
3.1.3. Розчинюючий відпал.
3.1.4. Порівняльний аналіз гомогенізуючого і
розчинюючого відпалів.
3.2. Зміна поверхневих властивостей кристалів
залежно від швидкості їх охолодження після відпалу.
3.2.1. Зміна концентрації акцепторних центрів і питомого
опору на поверхні кристалів.
3.2.2. Зміна концентрації акцепторних центрів і питомого
опору по глибині приповерхневої області.
Висновки.
РОЗДІЛ 4. Вплив термічного перерозподілу домішок
на властивості монокристалів арсеніду галію.
4.1. Вплив домішок на випромінювальну рекомбінацію через
центри EL у кристалах з різним вакансійним складом.
4.1.1. Співвідношення для інтенсивності випромінювання
через центри EL2.
4.1.2. Фотогасіння випромінювання через центри EL2.
4.1.3. Уведення міді.
4.1.4. Уведення кадмію.
4.1.5. Уведення селену.
4.2. Механічні напруження в області неоднорідного розподілу
домішок у кристалах з різним вакансійним складом.
4.2.1. Основні положення по формуванню механічних
напружень у домішковій дифузійній зоні.
4.2.2. Дифузія кадмію.
4.2.3. Дифузія міді.
Висновки.
Загальні висновки роботи.
Список
- Київ+380960830922