Зміст
ПЕРЕЛІК УМОВНИХ СКОРОЧЕНЬ……………………………………….
ВСТУП………………………………………………………………….…….
РОЗДІЛ 1. ОСОБЛИВОСТІ ОПТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПІВПРОВІДНИКОВИХ
НАНОКРИСТАЛІВ….………………………
1.1. Розмірне квантування енергетичного спектру в нанокристалах
1.2. Методи отримання напівпровідникових нанокристалів у діелектричних
матрицях……………………………………………….…………
1.3. Методика проведення спектроскопічних досліджень…………….…
1.3.1. Методика спектроскопії комбінаційного розсіювання світла та
фотолюмінесценції …………………….…………….………….
1.3.2. Методика вимірювання спектрів оптичного поглинання …….
Висновки до першого
розділу…………………………….………………
РОЗДІЛ 2. ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРНО-ЧАСОВИХ ПАРАМЕТРІВ ТЕРМООБРОБКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ
НАНОКРИСТАЛІВ CdS–xSex У БОРОСИЛІКАТНОМУ СКЛІ……………………….……….
2.1. Особливості технології отримання нанокристалів CdS–xSex методом дифузійно
обмеженого росту…….……………………….………
2.2. Оцінка розмірів нанокристалів типу АВ у діелектричних матрицях зі
спектрів оптичного поглинання…………………….………………
2.3. Фактори, що впливають на оцінку хімічного складу потрійних нанокристалів
методом раманівської спектроскопії…………….……….
2.4. Залежність основних характеристик нанокристалів CdS–xSex, синтезованих у
боросилікатному склі, від параметрів термообробки
Висновки до другого
розділу………………………………………………
РОЗДІЛ 3. ФОРМУВАННЯ ПОТРІЙНИХ І ЧЕТВІРНИХ НАНОКРИСТАЛІВ ТИПУ АВ У СКЛЯНИХ
МАТРИЦЯХ…………….
3.1. Особливості формування нанокристалів Cd–xZnxS у боросилікатному склі
внаслідок інкорпорації цинку з матриці………………….……
3.2. Особливості утворення та оцінка параметрів четвірних нанокристалів
Cd–yZnyS–xSex у скляній матриці………….……………………….
3.3. Отримання і оцінка характеристик композитів з нанокристалами
CdSe?xTex……………………………………….……………………………
3.4. Формування четвірних нанокристалів CdS–x–ySexTey з тримодовим типом
перебудови фононного спектру…………………………………….
Висновки до третього
розділу……………………………………….
РОЗДІЛ 4. ОПТИЧНА ДІАГНОСТИКА НАНОКРИСТАЛІВ АВ У РІЗНИХ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ
МАТРИЦЯХ…………………………………
4.1. Утворення молекулярних кластерів селену як альтернатива формуванню
нанокристалів CdSe у боросилікатному склі…………………
4.2. Комбінаційне розсіювання світла у напівпровідникових нанокристалах CdSe і
CdS, вкраплених у різні діелектричні матриці……………
4.3. Порівняння характеристик електронного спектру нанокристалів CdS, отриманих
у різних діелектричних матрицях…………….……….
Висновки до четвертого
розділу………………………….………………
ЗАГАЛЬНІ ВИСНОВКИ……………………………….………………
СПИСОК
- Київ+380960830922