Радіаційно-стимульовані ефекти в кремній-оксидних плівках з нановключеннями кремнію

ЗМІСТ
ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ ТА СКОРОЧЕНЬ…………………
ВСТУП……………………………………………………………….…….….
РОЗДІЛ 1. нановключення кремнію в кремній–оксидній матриці та зміна їх
властивостей під дією термічних та радіаційних обробок (Огляд літературних
даних)………………………
1.1.
Нановключення кремнію, їх властивості та методи отримання в кремній–оксидній
матриці ….………………………………….
1.2.
Способи покращення світловипромінювальних властивостей тонкоплівкових систем з
нанокристалічним кремнієм.………………….
1.3.
Вплив радіаційного опромінення на кремній–оксидні системи…………
1.3.1.
Вплив радіаційного опромінення на планарні системи Si/SiO….
1.3.2.
Ефект радіаційного впорядкування………………………………….
1.3.3.
Отримання нановключень кремнію в кремній–оксидній матриці під дією
радіації……………………………………………………….
1.3.4.
Вплив іонізуючого опромінення на системи з нанорозмірним кремнієм
(рor-Si)………………………………….………………….
Висновки до
розділу 1. Постановка задачі дослідження.…………………
РОЗДІЛ 2. Методика експерименту і обробки результатів.
2.1.
Об’єкти досліджень та підготовка експериментальних зразків……………
2.1.1.
Отримання плівок SiOx методом термічного випаровування у
вакуумі…………………………………………………………………
2.1.2.
Імплантація іонів азоту в нестехіометричні плівки SiOx……………
2.1.3.
Проведення термообробок та радіаційного опромінення………….
2.2.
Методи досліджень кремній–оксидних плівок з нановключеннями
кремнію……………………………………………………………………….
2.2.1.
ІЧ–спектроскопія і методика аналізу складу та структури кремній?кисневої
фази…………………………………………………
2.2.2.
Фотолюмінесценція …………………….…………………………….
2.2.3.
Х-променева фотоелектронна спектроскопія……………………….
2.2.4.
Електронний парамагнітний резонанс………….…….……………
РОЗДІЛ 3. ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНА ТРАНСФОРМАЦІЯ СТРУКТУРИ ОКСИДУ КРЕМНІЮ ТА
НАНОВКЛЮЧЕНЬ КРЕМНІЮ…………………
Вступ…………………………………………………………………………….
3.1.
Вивчення хімічного складу плівок SiOx, відпалених при різних температурах
методом Х-променевої фотоелектронної спектроскопії….
3.2.
Аналіз складу та структури плівок оксиду кремнію в залежності від температури
відпалу методом ІЧ–спектроскопії …
3.3.
Фотолюмінісцентні властивості кремній–оксидних плівок з нановключеннями кремнію
………………………………………………….
3.4.
Модель термостимульованого фазового
розділення плівок SiOx ………….
Висновки до
розділу ….………………………………………………….
РОЗДІЛ 4. вплив іонізуючого опромінення на властивості кремній–оксидних плівок
з нановключеннями кремнію.
Вступ………………………………………………………………….
4.1.
Вплив високих доз (? рад) g–опромінення на світловипромінювальні властивості
оксидних плівок з нановключеннями кремнію………………
4.2.
Дослідження процесів відпалу радіаційних дефектів в плівках nc-Si/SiO2
4.3.
Розрахунок енергії активації відпалу радіаційних дефектів………………
4.4.
Можливі механізми формування та відпалу радіаційних дефектів в системах
nc-Si/SiO…………………………………………………………….
Висновки до
розділу ….………………………………………………….
РОЗДІЛ 5. Радіаційно–стимульоване підсилення світло-випромінювальних
властивостей стуктур nc-Si/SiO ……
Вступ…………………………………………………………………
5.1.
“Ефект малих доз” радіації в кремній–оксидних плівках з з нанокристалічним
кремнієм………………………………………………….
5.2.
Вплив г–опромінення на властивості систем nc-Si/SiO, легованих
азотом………………………………………………………………………
5.3.
Вплив радіаційно–термічних обробок на люмінесцентні властивості структур
nc-Si/SiO…………………………………………………….……
5.3.1.
Термообробка опромінених плівок nc-Si/SiO в інертній атмосфері.
5.3.2.
Термообробка опромінених плівок nc-Si/SiO в атмосфері водню….
5.4.
Модель радіаційно–стимульованого підсилення інтенсивності люмінесценції
структур nc-Si/SiO ………………………………………….
Висновки до
розділу ………………………………………………………
ВИСНОВКИ………………………………………………………………….….
СПИСОК