- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6
Тип роботи:
Дис. докт. наук
Рік:
2006
Артикул:
0506U000234 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
- Релаксаційні процеси в сенсорах зображень на основі неідеального гетеропереходу CdS-Сu2S
- Електронні та іонні процеси у твердих електролітах Ag2HgI4 і Ag2CdI4
- Електролюмінесцентні властивості випромінювачів на основі капсульованого люмінофору ZnS: Cu.
- Вплив параметрів і типу базових напівпровідників на характеристики фоточутливих структур на їх основі
- Адсорбційна чутливість напівпровідникових матеріалів групи А2В6, оксидів важких металів та кремнію з реальною поверхнею з кластерними структурами.
- Фото- та термоіндуковані явища у потрійних халькогенідних сегнетонавіпровідниках з неспівмірними фазами.
- Вплив процеса окислення на дефектоутворення в легованому кремнію
- Еволюція фізичних властивостей напівпровідників АIIВVI гексагональної сингонії при переході до розмірів квантових масштабів
- Явища переносу в квантово-розмірних гетероструктурах на основі елементів III-V груп