Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ И МЕТОДОВ РОСТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОКЛАСТЕРОВ
1.1. Развитие исследовании роста полупроводниковых наноструктур
1.2. Роль нанокластсров в полупроводниковой технологии
1.3. Современная технология получении нанокластсров
1.4. Современные методы исследования нанокластсров
1.4.1. Экспериментальные методы исследования
1.4.2. Теоретические методы исследования
1.5. Цели работы
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА НАНОКЛАСТЕРОВ I НА I
2.1. Физическая модель зарождения и роста плоских нанокластсров
2.2. Моделирование эволюции системы нанокластсров в ходе осаждения углерода
2.3. Определение температурной зависимости плотности нанокластеров
2.4. Определение критерия перехода от дву мерного к трехмерному росту и механизма трехмерного
роста нанокластеров
2.5. Резюме
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА НАНОКЛАСТЕРОВ НА I И I НА
3.1. Физическая модель зарождения и роста пирамидальных нанокластсров
3.2. Моделирование влияния условий роста на структурные параметры нанокластсров
3.3. Определение критического размера пирамидальных нанокластеров
3.4. Резюме
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ