Оптические свойства дислокаций в полупроводниках

Содержание стр.
Введение
Глава 1.Обзор
1.1 Системы скольжения, структура и морфология дислокаций в
ковалентных полупроводниках.
1.2 Дислокационные состояния в
запрещенной зоне.
1.3 ЭПР центры на дислокациях в кремнии.
1.4 Дислокационная люминесценция в
кремнии и германии.
1.5 Влияние примесей
1.6 Ориентационное вырождение центров
1.7 Модели 4
1.8 Рекомбинационные свойства дислокаций
1.9 Заключение
Глава 2. Постановка экспериментов,
структурные особенности дислокаций
Глава 3. Пьезоспектроскопические и поляризационные исследования дислокаций
Глава 4. Влияние примесей и образование кислородных комплексов вблизи дислокаций
Глава 5. Одномерные свойства дислокаций
5.1 Линии люминесценции, связанные с прямолинейными сегментами дислокаций и модель рекомбинации.
5.2 Особенности электронфононного взаимодействия при рекомбинации из одномерных зон.
5.3 ЭДСР на прямолинейных сегментах
Глава 6. Дефекты дислокационной структуры,
связанные с нарушением регулярности
дислокационных линий.
6.1 Природа центров Д2 и Д1 и эффективность дислокационной люминесценции.
6.2 О возможности использования дислокационных состояний для изготовления излучающих диодов на основе кремния.
Глава 7. Структурные дефекты в
монокристаллах фуллеритов С и их связь с дислокациями.
7.1 Структурные особенности фуллерита С и роль фазовых переходов
з генерации дефектов.
7.2 Оптические исследования структурных фазовых переходов.
7.3 Пластическая деформация. Проявление деформационных дефектов в оптических спектрах.
7.4 Заключение
Выводы
Список литературы