ОГЛАВЛЕНИЕ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ГЛАВА 1 ТОНКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ.
ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1 Методы получения тонких пленок.
1.2 Процессы испарения и конденсации.
1.3 Механизмы роста пленок.
1.4 Структурные и субструктурные превращения при росте пленок в системах с сильным взаимодействием на межфазной границе.
1.4.1 Основные положения теории
Франка и ван дер Мерве.
1.4.2 Структура псевдоморфного слоя
1.4.3 Критическая толщина псевдоморфного слоя
1.4.4 Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя
1.5 Критерии ориентированной кристаллизации пленок.
1.5.1 Кристаллогеометрические критерии ориентированной кристалл изации
1.5.2 Размерный эффект, обусловленный минимизацией энергии межфазной границы
1.6 Дефекты кристаллической структуры пленки.
1.7 Постановка задач.
ГЛАВА 2 МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Моделируемые системы
2.2 Межатомное взаимодействие
2.3 Расчетные схемы
2.3.1 Алгоритм метода молекулярной динамики
2.3.2 Алгоритм метода статической релаксации
2.4 Расчет основных характеристик моделей.
2.4.1 Измерение термодинамических величин.
2.4.2 Структурные функции.
2.4.3. Многогранники Вороного.
2.4.4 Угловые корреляционные функции
2.5. Периодические граничные условия
ГЛАВА 3 СТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В
АМОРФНОЙ ПЛЕНКЕ МЕДИ ПРИ СВЕРХБЫСТРОМ НАГРЕВЕ
3.1 Разработка модели межатомного взаимодействия в меди
на основе метода погруженного атома.
3.2 Построение молекулярнодинамической модели меди.
3.3 Результаты молекулярнодинамического моделирования кристаллизации и плавления меди
ГЛАВА 4 СТРУКТУРНЫЕ И СУБСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ
В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМАХ СиРс1 И МРс
4.1 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на ООРс, Т4 на 1Рс1,
Рс1 на 1 Си и Рс1 на 1 Ы1 в условиях изохронного отжига.
4.1.1 Построение компьютерной модели
4.1.2 Влияние величины и знака размерного несоответствия
на процесс кристаллизации пленок из аморфного состояния
4.1.3 Структура пленок после ориентированной кристаллизации
4.1.4 Механизмы компенсации размерного несоответствия
в исследуемых пленках.
4.1.5 Эволюция структуры пленок в процессе отжига
4.2 Структурные и субструктурные превращения при
ориентированной кристаллизации пленок Си и
на 1 Рс1 в условиях послойного роста
4.2.1 Построение модели.
4.2.2 Эволюция структуры пленок Си и 1 на 1Рс1 при послойном
росте.
4.3 Структурная самоорганизация в металлической гетеросистеме кристалл монослойная пленка.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность
- Київ+380960830922