СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ МЕВДОУЗЕЛЬНЫХ АТОМОВ
ГАЛОИДА В ЩГК обзор литературы . . .
2.1. Френкелевские дефекты и экситоны
в облученных ЩГК .
2.2. Распад электронных возбуждений с рождением френкелевских дефектов в ЩГК .
2.3. Парамагнитные Нцентры в КС1
2.3.1. ЭПРспектр и оптические переходы
С1 в .
2.3.2. ЭПРспектр и структура Нцентров в КС1
2.3.3. Захваченные примесями парамагнитные Нцентры в I
2.4. Некоторые нерешенные проблемы и задачи настоящего исследования ..
МЕТОДИКА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
3.1. Методика низкотемпературного исследования парамагнитных радиационных дефектов
3.1Л. О применении метода ЭПР для регистрации
Н и V центров в ЩГК.
3.1.2. О низкотемпературном Хоблучении кристаллов при ЭПРизмерениях
3.1.3. Установка для ЭПР исследований .
3.2. Методика исследования оптических характеристик облученных кристаллов .
3.3. Объекты исследования
4. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1.
4.1. Создание и отжиг Н и Уцентров в КС1
4.1Л. ЭПРспектры кристалла КС1 после
Хоблучения при К
4.1.2. Накопление Н и Уцентров в ходе
облучения при К.
4.1.3. Отжиг Н,УК и ос центров в ЕС1 .
4.1.4. Влияние подсветки на число и отжиг
Н и центров
4.1.5. Влияние подсветки фотонами Зг4 эВ
на Н и Vцентры и их отжиг.
4.2. Влияние вторичных процессов на низкотемпературное радиационное дефектообразование в КС1 .
4.2.1. Взаимодействие электронов и дырок с
дефектами во время Хоблучения .
4.2.2. V тройки в КС1
4.2.3. Индуцированные Хоблучением вторичные
процессы в КС1
4.3. Миграция интерстициалов в КС1 при Т К . . . .
4.3.1. Отжиг 1центров в КС1 .
4.3.2. Миграция Нцентров в .
5. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ, ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И
ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1НЪ .
5.1. ЭПРспектр кристалла после
Хоблучения при К .
5.2. Отжиг Н и Уцентров в КС1ВЪ .
5.3. НДИЪ центры в КС1ВЪ.
5.4. О влиянии ионов йЪ на процессы создания, преобразования и отжига френкелевских дефектов в К . 1дйЪ центры .
5.5. О ловушках Нцентров в КС1 .
6. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ
ДЕФЕКТОВ В ЕЪС1 . .
6.1. Спектры ЭПР .
6.2. ЭПРсигнал и структура Н центров в ЕЬС1
6.3. Создание и отжиг интерстициалов в ЕЪС1
7. СОЗДАНИЕ , ПАР В И КС1Т1 ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ С АВТ0Л0КАЛИВАННЫМИ
ДЫРКАМИ
7.1. Электроннодырочный рекомбинационный
механизм создания дефектов Френкеля
7.2. Рождение стабильных , при рекомбинации электронов с V центрами в
7.3. Рождение Р,Внпар при рекомбинации электронов
с V центрами в кома . .
7.4. Электроннодырочный и экситонный механизмы созданияК,н пар в , и . . . .
8. РАСПАД ОКОЛОПРИМЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУВДЕНИЙ
С РОЭДЕНИЕМ даЕКТОВ В КС1Ф1 .
8.1. Экспериментальное изучение рождения
Р,Нпар и о,1пар вКС1Г1 .
8.2. О роли локальных колебаний при распаде электронных возбуждений с рождением дефектов
9. ЗАКЛШЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922