Развитие методов локальной катодолюминесценции прямозонных полупроводников

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КЛ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБЪЕКТОВ В РЭМ обзор литературы
1.1 Генерация электроннодырочных пар при взаимодействии электронного зоцца с полупроводником
1.2 Эмиссия излучения из полупроводников
1.3 Использование Ю1 излучения для
анализа полупроводников в РЭМ.
1.3.1 Системы детектирования излучения
1.3.2 Ю1 методы исследования полупроводниковых объектов в РЭМ
ГЛАВА II. РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ЛОКАЛЬНОГО КЛ АНАЛИЗА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБЪЕКТОВ В РЭМ.
.1 Экспериментальная установка и методика проведения КЛ анализа полупроводников.
.2 КЛ анализ однородно легированных прямозонных полупроводников.
.2.1 Использование зависимости интенсивности КЛ излучения от уровня возбуждения для определения некоторых характеристик полупроводниковых материалов
.2.2 Влияние поглощения излучения в полупроводнике на параметры КЛ спектров.
.3 Определение концентрации акцепторной примеси в области рп перехода прямозонных полупроводников по спектрам локальной КЛ.
.3.1 Изучение закономерностей диффузии легирующей примеси с использованием РЭМ
.3.2 Определение концентрации акцепторной примеси в области рп перехода
II.4 КЛ анализ эпитаксиальных четверных
тврдых растворов
Заключение
ГЛАВА III. РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ЛОКАЛЬНОГО КЛ АНАЛИЗА ФОТОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СУЛЬФИДА КАДМИЯ.
III.I Спектральные и вольтамперные характеристики фотоэлементов
1.2 Возможности интегральной КЛ в сочетании
со стандартными режимами работы РЭМ.
1.2.1 Структура, состав и КЛ
поверхностей фотоэлементов
III. 2.2 Рентгеноспектральный микроанализ
1.3 Расширение возможностей КЛ исследований при использовании нестандартных режимов работы РЭМ.
1.3.1 Анализ спектров локальной КЛ.
1.3.2 Расширение возможностей диагностики
при использовании цветной КЛ.
Заключение.
ПРИЛОЖЕНИЕ. Обработка экспериментальных результатов
ЛИТЕРАТУРА