Электронная структура дефектов и их взаимодействие в арсениде галлия, легированном марганцем

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
1. ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ
1.1 Идеальный кристалл арсенида галлия.
1.2 Собственные дефекты в арсениде галлия .
1.3 Состояние 3 сэлементов в арсениде
галлия.
1.4 Постановка задачи .
2. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДОВАННЫХ ОБРАЗЦОВ И ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ИССЛЕ
ДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ.Ч.
2.1 Выращивание монокристаллов ароенида галлия, легированных марганцем .
2.2 Характеристика исследованных образцов .
2.3 Метод ЭПР.
2.4 Измерение отатической магнитной восприимчивости .
2.5 Расчет электронной структуры дефектов .
2.6 Выводы
3. ИЗУЧЕНИЕ ОДИНОЧНЫХ ЦЕНТРОВ МАРГАНЦА В АРСЕНИДЕ
3.1 Экспериментальные данные по ЭПР кубического
центра марганца
3.2 Результаты измерения статической магнитной восприимчивости и данные по ЭПР неионизо
ванного центра марганца
3.3 Модель центра арсениде галлия.
3.4 Выводы.
4. СПИНСПИНОВОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В АРСЕНИДЕ
ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННОМ МАРГАНЦЕМ
4.1 Магнитное дипольдипольное взаимодействие
4.2 Обменное взаимодействие
4.3 Состояния типа спинового стекла
4.4 Выводы
5. ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖНЫХ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ С
УЧАСТИЕМ МАРГАНЦА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ
5.1 Результаты исследования комплексов
симметрии Сы.
5.2 Обсуждение результатов
5.3 Выводы.ПО
ЗАКЛЮЧЕНИЕIII
ЛИТЕРАТУРА