СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТУННЕЛЬНОЙ МИКРОСКОПИИ И
СЕКТР0СК1ИИ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1. Принцип действия и устройство туннельно зондового
микроскопа для работы в атмосферных условиях.
1.1.1.Функциональный принцип туннельной микроскопии
1.1.2.Информация о поверхности, получаемая в СТМ экспериментах
1.1.3.Конструкция СТМ
1.2.Измерение высоты потенциального барьера между зондом и образцом
методом туннельной спектроскопии.
1.2.1 .Исследование потенциального барьера с помощью
воздушного СТМ.
1.2.2.Исследования особенностей распределения потенциального барьера по реальной поверхности с помощью СТМСТС
1.3.Сканирующая туннельная колебательная спектроскопия.
1.3.1 .Сканирующая туннельная колебательная спектроскопия
адсорбатов
1.3.2. Колебательные переходы в СТС экспериментах.
1.4.Постановка задачи
Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПРОХОЖДЕНИЯ ТОКА
МЕЖДУ ЗОНДОМ И ОБРА ОМ В
ВОЗДУШНОМ СТМ
2.1 Оценка величины потенциального барьера между зондом и
образцом СТМ методом туннельно зондовой спектроскопии
2.1.1.Описание тока между зондом и образцом из одномерной модели
при плоских берегах туннельного контакта.
2.1.2. Исследование зависимости тока от расстояния между зондом и образцом с помощью программного обеспечения
СТМ СКАН 8 в автоматическом режиме.
2.1.3.Исследование зависимости туннельного тока от расстояния между зондом и образцом в статическом
режиме.
2.1.4. Исследование ВАХ СТМ в туннельном режиме.
2.2. Исследование альтернативных механизмов токопрохождения между зондом и образцом воздушного СТМ.
2.2.1. Экспериментальная оценка влияния напряжения на туннельном промежутке на потенциальный барьер.
2.2.2.Аномальные явления при измерении зависимости туннельного тока от расстояния
2.3.Вывод ы
Глава 3. СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ КОЛЕБАТЕЛЬНАЯ
СПЕКТРОСКОПИЯ.
3.1.Особенности применения ИК спектроскопии
3.2.Сканирующая туннельная колебательная спектроскопия.
3.3.Особенности измерения ВАХ туннельного промежутка
при напряжении более 5 В
3.4.Идентификация поверхностных соединений методом СТКС
3.5.Вывод ы
Глава 4. СТМ СТС ИССЛЕДОВАНИЯ В МОДЕ
ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ОБРАЗЦОВ.
4.1. СТМСТС исследования ступеней на реальной поверхности
кристаллов У0 и 60.
4.2. Исследование особенностей распределения электронной плотности
на краях ступеней с помощью СТС в моде потенциального барьера
4.3. Аномальные явления при СТМ исследовании поверхности пиролитического графита марки ВПГ, покрытой слоем
адсорбата
4.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922