Содержание
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Кристаллическая структура 23x. Методики
получения пленок
1.2. Эффскгы Джозсфсона. Резистивная модель
джозефсоновского перехода
1.3. Симметрия сверхпроводящего параметра порядка и токофазовая зависимость сверхпроводящего тока в джозсфсоновских переходах на основе
1.4. Связанные андреевские состояния в
гетеропереходах
1.5. Применение пленок и устройств на их основе в сверхпроводниковой электронике
Глава 2. Тонкие пленки и их свойства. Методики изготовления планарных тонкопленочных гетеропереходов на основе
2.1. Рост эпитаксиальных пленок методом лазерного распыления
2.2. Сориснтированные пленки
2.3. Пленки на наклонных подложках
2.4. Технология изготовления планарных гетеропереходов и
Глава 3. Гетеропереходы 1 и 1 и их свойства
3.1. Температурные зависимости проводимости гетеропереходов
3.2. Влияние содержание кислорода в пленке на проводимость гетеропереходов 1
3.3. Вольтамперные характеристики гетеропереходов
ЫЬАиУВСО1
3.4. Фазовая зависимость сверхпроводящего тока в гетеропереходах 1АиУВСО 1
Глава 4. Гетеропереходы АиУВСО и 1ЧЬАиЛ7ВСО на
наклонных подложках МсЮаОз
4.1. Температурные зависимости сопротивления
гетеропереходов
4.2. Уширение андреевских состояний
4.3. Магнитнополевые зависимости
4.4. Влияние андреевских состояний на сверхпроводящий
ток в гетеропереходах 6АиУВСО 1 1
4.5. Фазовая зависимость сверхпроводящего тока гетеропереходов 1АиУВСО 1 0
Глава 5. Торцевые гетеропереходы микронных и
субмикронных размеров
5.1. Технология изготовления торцевых гетеропереходов
5.2. Транспортные свойства торцевых гетеропереходов
Заключение
Список цитированной литературы
- Київ+380960830922