Ви є тут

Моделирование нелинейных процессов во входных каскадах радиоприемных устройств

Автор: 
Иркутский Олег Аркадиевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1999
Кількість сторінок: 
147
Артикул:
1000243710
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Нелинейные явления в транзисторных усилителях при различных электрических режимах работы транзисторов
1.1. Анатитическне и численные подходы к анализу нелинейных искажений,.
1.2. Моделирование арсснидгалиевого полевого транзистора в нелинейном режиме.
1.3. Моделирование биполярного транзистора в нелинейном режиме
1.4 Моделирование транзисторного усилительного каскада.
1.5. Коэффициент шума и частот ные характерист ики усилителя при различных электрических режимах работы транзистора.
1.6. Блокирование усилителя и явления перекрестных искажений, амплитуднофазовой конверсии.
1.7. Анализ эффекта ннтермодуляции в усилителе.
Выводы.
Глава 2. Нелинейные явления в преобразователях частоты при различных режимах работы.
2.1. Моделирование полупроводникового диода
2.2. Моделирование диодного смесителя
2.3. Моделирование транзисторного смесителя
2.4. Явления перекрестных искажений и амплитуднофазовой конверсии
в смесителе
2.5. Анализ эффекта интермодуляции в смесителе.
Выводы
Глава 3. Влияние на нелинейные искажения в усилительно
преобразовательных каскадах.
3.1. Ослабление нелинейных эффектов в усилительно
преобразовательных структурах.
3.2. Выбор оптимальных режимов работы входного модуля при действии помех
3.3. Возможность построения адаптивного входного модуля РГГУ.
Выводы.3
Заключение
Библиографический список использованной литературы
Введение
Диссертационная работа посвящена исследованию и развитию методов анализа и синтеза входных каскадов радиоприемных устройств РГГУ диапазона сверхвысоких частот СВЧ, построенных на основе полупроводниковых приборов. Описаны возможности применения данных методов для улучшения характеристик помехозащищенности входных модулей и отдельных каскадов малошумящих усилителей и смесителей. Разработаны и исследованы методики определения параметров моделей полупроводниковых транзисторов и диодов, алгоритмы выбора управляющих напряжений дтя получения оптимальных режимов работы входных каскадов РПУ с точки зрения электромагнитной совместимости ЭМС.
Актуальность