Ви є тут

Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs

Автор: 

Цаххаев Фалес Магомедович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

155

Артикул:

1000296691

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Теория неравновесных флуктуаций в нормальных и сверхпроводящих металлических контактах
• Эффективные преобразователи световых пучков на вынужденном рассеянии для адаптивных лазерных систем
• Экспериментальное исследование неупругих процессов взаимодействия медленных электронов с ионами инертных газов
• Динамика поверхностных процессов в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии соединений A3 B5
• Исследование распыления и ионно-электронной эмиссии углеродных материалов при высокодозном облучении
• Особенности распыления лантанидов при магнитном фазовом переходе
• Энергетический спектр электронов и элементарные процессы на поверхности ионных и ионно-ковалентных кристаллов с дефектами
• Проебразование временных, спектральных и пространственных характеристик лазерного излучения при трехволновом параметрическом взаимодействии световых волн и вынужденном рассеянии Мандельштама-Бриллюэна
• Динамика одноэлектронных процессов при атомных столкновениях
• Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий