Ви є тут

Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs

Автор: 

Цаххаев Фалес Магомедович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

155

Артикул:

1000296691

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Поляризационная томография напряженного состояния в градиентно-оптических структурах
• Электрические свойства пленочных систем с маталлической проводимостью при низких температурах
• Генерация ионов при воздействии импульсных электрических полей и токов на многокомпонентные поверхностные структуры
• Исследование электронно-стимулированной модификации фуллерита C60 методами электронной спектроскопии
• Развитие методов локальной катодолюминесценции прямозонных полупроводников
• Исследование и разработка высокостабильного и долговечного автоэмиссионного катода с электронно-оптической яркостью свыше 1.108 А.см-2.ср-1 для электронно-зондовой аппаратуры и других ЭВП, работающих в условиях высокого технического вакуума
• Лазерная и корпускулярная модификация свойств оксидов переходных металлов
• Экcпериментальное исследование приема рассеянного когерентного излучения с помощью оптических усилителей
• Исследование электронно-оптических свойств электростатических полей близких к однородному и цилиндрическому, разработка энерго-масс-анализаторов
• Кинетические свойства графена и сверхрешеток на его основе в условиях воздействия высокочастотных электрических полей и постоянного магнитного поля