Электронное строение тонких пленок систем Bi-Sr-Ca-Cu-O и Tl-Ba-Ca-Cu-O

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ВТСП СИСТЕМ НА
ОСНОВЕ ТАЛЛИЯ И ВИСМУТА обзор литературы
1.1. Особенности кристаллического строения В15г и
Т1Ва купратов.
1.2. Особенности электронного строения систем
ВГБгСаСиО и Т1ВаСаСи0
1.2.1. Зонная структура и плотность состояний
1.2.2. Рентгеновские эмиссионные спектры
1.2.3. Фотоэлектронные спектры
ГЛАВА II. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ ЗОННОЙ
СТРУКТУРЫ И СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК В ПЛЕНКАХ.
2.1. Пленочный метод линеаризованных присоединенных
плоских волн
2.1.1. Базисные функции метода
2.1.2. Построение пленочного потенциала.
2.2. Методика расчета рентгеновских эмиссионных
спектров
2.2.1. Основы метода рентгеновской эмиссионной спектроскопии
2.2.2. Формализм расчета рентгеновских эмиссионных спектров.
2.3. Методика расчета фотоэлектронных спектров
2.3.1. Основы метода фотоэлектронной спектроскопии
2.3.2. Формализм расчета фотоэлектронных спектров
ГЛАВА III. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОПКИХ ПЛЕНОК СИСТЕМ В2г2Сап.,Сипп4 И Т2Ва2Сап.СпП4 п1, 2, 3
ЗЛ. Детали расчета.
3.2. Плотность элекгронных состояний .
3.3. Рентгеновские эмиссионные спектры.
3.4. Фотоэлектронные спектры.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА