СОДЕРЖАНИЕ
Введение .
Глава I. Выращивание ВТСП пленок VВаСиО методом лазерной аблягога
1.1. Метод лазерной абляции для выращивания ВТСП пленок
У ВаСиО
1.2. Экспериментальная установка и методика измерения сверхпроводящих параметров У ВаСиО пленок.
1.3. Взаимодействие лазерного излучения с поверхностью мишени
У ВаСиО
1.4. Форшфование и рост пленок У ВаСиО на монокрпсталлпческах подложках
Глава II. Влияние макроструктуры на сверхпроводящие параметры У ВаСиО пленок
2.1. Макроструктура У ВаСиО материалов
2.2. Связь макроструктуры со сверхпроводящими параметрами
У ВаСиО пленок
2.3. Температурная зависимость плотности критического тока
У ВаСиО пленок, выращенных методом лазерной абляции
Глава III. Выращивание и исследование напряженных сверхпроводящих У ВаСиО пленок
3.1. Выращивание ВТСП напряженных У ВаСиО пленок методом лазерной абляции
3.2. Механизм подавления плотности критического тока в УВаСиО напряженных пленках .
3.3. Исследование ВТСП напряженных УВаСпО пленок методом сканирующей микроскопии.
3.4. Температурные зависимости плотности критического тока ВТСП напряженных УВаСиО пленок
Глава IV. ВТСПсквид на основе УВаСиО пленки .
4.1. Сквиды на основе УВаСиО материалов
4.2. Магнитометры на основе ВТСП Лссквидов.
4.3. Высокотемпературный сверхпроводящий тонкопленочный 1ссквид.
Заключение. Основные результаты и выводы
Список литературы
- Київ+380960830922