Оглавление
Оглавление
Введение
Глава 1. Проблемы исследования диэлектрических свойств ссгнстоэлектрических кристаллов и тонких пленок.
1.1. Типичные аномалии диэлектрической проницаемости при
сегнетоэлектрических фазовых переходах
1.2 Описание диэлектрических свойств сегнетоэлектриков в рамках теории Ландау.
1.3. Дефекты, электрические поля, упругие напряжения в объемных кристаллах. Влияние пьезоэффекта
1.4. Поверхностные и размерные эффекты в пленках.
1.5. Дефекты, электрические поля и упругие напряжения в тонких пленках.
1.6. Влияние мертвого слоя на диэлектрическую проницаемость тонких пленок.
1.7. Частотные характеристики
1.8. Недостатки стандартного подхода к исследованию диэлектрических свойств сегнетоэлектриков.
Глава 2. Методы исследования диэлектрических свойств.
2.1. Импедансные методы
2.2. Метод тепловых шумов
2.3. Существующие реализации метода тепловых шумов
2.4. Достоинства и недостатки метода тепловых шумов.
Глава 3. Экспериментальная установка
3.1. Блоксхема, оборудование, новизна
3.2. Программа автоматизации
3.3. Калибровка и тестирование установки
Выводы к главе 3
Глава 4. Сравнительные исследования объемных образцов различными методами
4.1. Объемные кристаллы титаната бария
4.2. Объемные кристаллы триглицинсульфата.
Выводы к главе 4
Глава 5. Исследование сегнетоэлектрических тонких пленок импедансным методом и методом тепловых шумов.
5.1. Образцы.
5.2. Экспериментальные результаты.
5.3. Обсуждение.
Выводы к главе 5
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922