Исследование неравновесной кристаллизации в условиях концентрационного переохлаждения при описании направленного роста кристаллов методом Бриджмена

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Физикоматематическое описание неравновесной
кристаллизации полупроводниковых кристаллов
1.1. Постановка задачи кристаллизации
1.2. Приближение Буссинеска и обезразмеривание системы
уравнений
1.3. Цилиндрические координаты. Разнесенная разностная сетка и способ расщепления уравнений
1.4. Криволинейные координаты. Итоговые разностные
соотношения
1.5. Решение задачи о кристаллизации. Метод решения задачи Стефана
1.6. Неравномерность перемещения нагревательного элемента 1.7. Концентрационное переохлаждение
ГЛАВА 2. Неравновесная кристаллизация в условиях ламинарной конвекции
2.1. Постановка задачи кристаллизации
2.2. Криволинейные координаты, расщепление уравнений
2.3. Консервативность численной схемы
2.4. Особенности построения описания неравновесного роста
ГЛАВА 3. Результаты расчетов
3.1. Кристаллизация системы Се8Ь в условиях диффузионного
режима роста
3.1.1 Условия модельной задачи
3.1.2 Особенности решаемой задачи
3.1.3 Расчет фундаментальных полос роста
3.1.4. Расчет аппаратурных полос роста
3.2. Описание процесса роста системы ОеБЬ в условиях ламинарной
конвекции
3.2.1. Условия модельной задачи
3.2.2. Процесс роста системы ве8Ь в условиях ламинарной
конвекции. Расчет продольного распределения примеси, сравнение с моделью Пфанна
3.2.3. Моделирование процесса неравновесной кристаллизации
системы Се8Ь
3.2.4. Исследование поперечной неоднородности распределения
примеси при расчете задач неравновесного и равновесного роста
3.2.5. Изменение температуры кристаллизации при неравновесном
росте. Колебания скорости роста при появлении полос роста
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ