СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Современное состояние разработок СВЧ монолитных интегральных схем для радиолокационных устройств
1.1 Функциональный ряд СВЧ МИС.
1.2 Уровень серийновыпускаемых СВЧ МИС за рубежом.
1.3 Отечественные разработки в области СВЧ МИС.
1.4 Выводы и постановка задачи.
ГЛАВА 2. Разработка и исследование гетероструктурных арсенидгаллневых СВЧ рпдиодов и МИС коммутаторов на их основе.
2.1 Разработка и исследование гетероструктурных арсен идгаллневых СВЧ рпдиодов.
2.1 Л Конфигурации эпитаксиальных структур и изготовление СВЧ рпдиодов
2.1.2 Измерение характеристик рпдиодов. Построение СВЧмоделей
2.1.3 Явления излучательной рекомбинации.
в арсеиидгаллиевых СВЧ рпдиодах
2.2 Разработка монолитных интеральньгх схем комму таторов СВЧмощности на основе гетероструктурных арсеиидгаллиевых рпдиодов
2.2.1 Технология изготовления монолитных интегральных схем, включающих рпдиодь и диоды Шоттки.
2.2.2 Разработка МИС коммутаторов С и Хдиапазонов частот.
2.2.3 Разработка МИС сверхширокополосных коммутаторов
2.3 Выводы.
ГЛАВА 3. Разработка и исследование МИС ограничителей СВЧмощности
3.1 Проектирование схем ограничителей СВЧмощности.
3.2 Разработка и исследование МИС ограничителей СВЧмощности на основе рпдиодов.
3.3 Поиск путей улучшения характеристик ограничителей СВЧмощности
3.3.1 Разработка и исследование МИС ограничителя СВЧмощности, управляемого напряжением
3.3.2 Разработка и исследование МИС ограничителей СВЧмощности содержащих ртдиоды и диоды Шоттки
3.4 Выводы
ГЛАВА 4. Разработка монолитной интегральной схемы малошумящего
усилителя Хдиаиазона на основе гетероструктурных полевых транзисторов
4.1 Разработка и исследование гетероструктурного транзистора АП9А5 .
4.1.1 Технологический маршрут изготовления гетероструктурных
транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе
4.1.2 Конфигурации и основные параметры рНЕМТструктур
4.1.3 Построение СВЧмоделей транзисторов
4.2 Проектирование СВЧусилителей
4.2.1 Разработка и исследование МШУ Хдиапазоиа
4.2.2 Совместное использование разработанных монолитных интегральных схем рНБМТ МШУ и ЗУ на основе рпдиодов.
4.3 Получение Тобразных затворов с длинами порядка 0 им без использования электронной литографии.
4.4 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922