Ви є тут

Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределенными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою

Автор: 
Антюшин Виктор Федорович
Тип роботи: 
докторская
Рік: 
1998
Кількість сторінок: 
215
Артикул:
1000225866
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. МИГРАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ПЛЕНОК ДВУ ОКИСИ КРЕМНИЯ
1.1. Основные электрофизические свойства пленок двуоки си кремния на кремнии
1.2. Кинетика миграционной поляризации пленок двуокиси кремния с неоднородным потенциальным профилем
1.3. Кинетика миграции ионов щелочных металлов в плен ках двуокиси кремния
1.4. Подавление миграционной поляризации модифициро ванисм внешней поверхности окисла кремния
ГЛАВА И. ПОЛЕВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ТИПА МДП НА
АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ
2.1. Электрические свойства гетеропереходов изолирующий слой арсеннд галлия
2.2. Изолирующие покрытия Сае на арсениле галлия
2.3. Релаксационные электрические процессы в структурах МеСа2еОаА
2.4. Сквозные токи и энергетическая диаграмма структур 4 СаАОаеА
ГЛАВА III. ДРЕЙФОВАЯ ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗА 5 РЯДА В ОБОГАЩЕННЫХ КАНАЛАХ ПРОВОДИМОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ТИПА МДП НА КРЕМНИИ И АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ
3.1. Электронный газ в поверхностных каналах проводимо 5 сти
3.2. Поверхностная проводимость электронов в гетерост 1 рукгурах с изолирующими слоями соединений со стехиометрическими вакансиями модели механизмов рассеяния и численные оценки
3.3. Подвижность носителей заряда в поверхностных кана 3 лах проводимости гетероструктур iVi и метод измерений и экспериментальные результаты
ГЛАВА IV. НЕМОНОТОННЫЙ ПОТЕНЦИАЛ В ОБОГАЩЕН 9 НЫХ СЛОЯХ МДП СТРУКТУР
4.1. Кулоновское корреляционное взаимодействие в обога 9 шейной области пространственного заряда МДП структур
4.2. Нелокальный отклик плотности электронного газа по 2 лунроводника на возмущения потенциала
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА