- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si
Тип роботи:
докторская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
263
Артикул:
138281 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Механизм катастрофического окисления металлов и сплавов в серосодержащих газовых средах
- Термолюминесценция в полосе 2,4 ЭВ облученных анионодефектных монокристаллов оксида алюминия
- Электронные возбуждения, связанные с дислокациями в полупроводниках
- Сверхпроводимость неупорядоченных полупроводниковых сред
- Гальваномагнитные свойства двумерных ферромагнитных структур GaAs(δ<Mn>)/InxGa(1-x)As/GaAs
- Моделювання дефектоутворення під час вирощування бездислокаційних монокристалів кремнію
- Сегнетоэластический фазовый переход в калий-кадмиевом лангбейните
- Теоретические и экспериментальные исследования гидроудара в загазованной дисперсной среде, движущейся в деформируемой оболочке
- Образование газовых включений при синтезе кристаллов парателлурита из расплава
- Нейтронографическое и модельное исследование влияния текстуры при определении упругих свойств конструкционных поликристаллических материалов