Структурные и субструктурные изменения с ростом толщины конденсированных пленок неорганических материалов

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Структурные и ориентационные изменения при росте конденсированных пленок Р1 и сплавов на его основе
1.1. Физикотехнологические принципы и закономерности формирования градиентной структуры пленок.
1.2. Пленки на неорнентирующих подложках
1.3. Пленки на ориентирующих подложках
1.4. Эффект ионноплазменного ассистирования
1.5. Заключение
1.6. Выводы
1.7. Литература к главе
ГЛАВА 2. Синтез, субструктура и ориентация пленок Сие и Си1п8е2.
2.1 ТИ компонентов из независимых источников и конденсация в вакууме
2.2. МР составной мишени
2.3. Импульсная фотонная обработка пленок системы СипБс
2.4. Обсуждение
2.5 Выводы
2.6. Литература к главе
ГЛАВА 3. Синтез и особенности субетруктуры пленок оксидов,
полученных методом МР
3.1. Пленки 2пО
3.2. Пленки ЫЫЬОЗ
3.3. Пленки гидроксиапатита
3.4. Заключение
3.5. Выводы
3.6. Литература к главе 4 ГЛАВА 4. Стохастический роет и структура пленок систем
оксид алюминия алюминий и оксид алюминия углерод
4.1. Методика нанесения пористых покрытий
4.2. Методы контроля открытой пористости
4.3. Система оксид алюминия алюминий .
4.4. Система оксид алюминия углерод
4.5. Заключение и выводы 6 .
4.6. Литература к главе
ГЛАВА 5. Зависимость рельефа поверхности пленок от толщины
5.1. Пленки Рс1 и сплавов на его основе
5.2. Пленки Сие и Си1п8е2
5.3. Пленки СсГГе
5.4. Пленки
5.5. Пленки 1лЫЬОЗ и гидроксиапатита
5.6. Обсуждение
5.7 Заключение и выводы
5.8 Литература к главе
ГЛАВА 6. Ионноплазменное ассистирование и сгрукгурообразование
6.1 Физикотехнологические принципы
структурообразования в пленках, наносимых методом МР
6.2. Субструктура и открытая пористость пленок, полученных МР
6.3. Морфология фронта роста пленок ГА и иТМЮЗ при ВЧМР
6.4. Обсуждение
6.5. Выводы
6.6. Литература к главе
7. Основные результаты и выводы
8. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
В работе исследованы структурные и субструктурные изменения с ростом толщины пленок, полученных методами ТИ ЭЛИ и терморезистивное испарение, МР на постоянном токе и ВЧ и конденсации вакууме на ориентирующие и аморфные подложки.
Актуальность