СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЯВЛЕНИЯ АВТОЭЛЕКТРОНОЙ
ЭМИССИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВАКУУМНЫХ ЭМИССИОННЫХ ПРИБОРОВ
1.1. Физические основы полевой эмиссии электронов.
1.2. Теория автоэлектронной эмиссии
1.3. Особенности автоэлектронной эмиссии полупроводников.
1.4. Автоэлектрониая эмиссия в высокочастотном поле
1.5. Быстродействие вакуумных микроэлектронных приборов
1.6. Конструкции и способы создания автоэмиссионных микроприборов.
1.6.1. Тонкопленочные автоэлектронные микрокатоды
1.6.2. Полупроводниковые автоэлектронные микрокатоды.
1.6.3. Планарноторцевые автоэлектронные микрокатоды.
Выводы и постановка задач л
ГЛАВА 2. КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ НИЗКОВ0.ЬТНЫX АВТОЭМИССИ ОНН Ы X
МИКРОПРИБОРОВ
2.1. Оптимизация конструкции путем размещения катода и анода на одной
подложке
2.2. Алмазосодержащие катодные покрытия
2.3. Применение резистивных слоев
2.4. Вакуумирование автоэмиссионных микроприборов
2.5. Новые способы низковольтного управления полевой эмиссией в микроприборах
2.5.1. Управление автоэлектронной эмиссией из полупроводников барьером Шоттки
2.5.2. Управление эмиссией электронов путем изменения геометрии катода.
Выводы.
ГЛАВА 3. СОЗДАНИЕ НИЗКОВОЛЬТНЫХ АВТОЭМИССИОННЫХ
МИКРОПРИБОРОВ.
3.1. Острийные кремниевые диоды
3.1.1. Создание маскирующего покрытия субмикронного разрешения методом фотолитографии.
3 . Формирование матрицы трехмерных микроструктур методом
плазмохимического травления.
3.1.3. Принцип самосовмещения при построении управляющих электродов
3.2. Технология острийных кремниевых триодов.
3.3. Планарные диодные углеродные структуры
Выводы.
ГЛАВА 4. ПРИМЕНЕНИЕ АВТОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЧНЫХ
КАТОДОВ В УСТРОЙСТВАХ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
4.1. Острийные кремниевые катоды в плоских индикаторах.
4.2. Планарноторцевые структуры с углеродным катодом в плоскопанельных экранах.
4.3. Использование вторичной электронной эмиссии в планарных
триодных структурах.
Выводы
ГЛАВА 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВАКУУМНЫХ
МИКРОИРИБОРОВ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ
5.1. Измерение вольтамнерных характеристик острийных кремниевых
микроприборов .
5.2. Характеристики лезвийных планарноторцевых структур с гребенкой углеродных эмиттеров
5.3. Сравнительный анализ острийных и планарноторцевых автоэлектронных микроприборов.
5.4. Перспективы применения вакуумных микроприборов, изготовленных
с применением групповых микроэлектронных технологий
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922