Магнитные свойства метастабильных дефектов в полупроводниковых стеклах, кристаллах и наноструктурах

2
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
ВВЕДЕНИЕ .................................................... 5
Глава 1. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МЕТАСТАБИЛЬНЫX ЦЕНТРОВ
В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТЕКЛАХ. ..12 § 1. Установка для исследования магнитной восприимчивости твердых тел в условиях оптического облучения монохроматическим и
немонохроматическим светом.............................. 14
§ 2. Эксперимент........................................... 17
§ 3. Результаты и обсуждение: магнитные свойства центров с
отрицательной корреляционной энергией................... 18
Выводы..................................................... 31
Глава 2. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ЦЕНТРОВ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ
КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ В С<ЗР2....................... 36
§ 1. Образцы и методика эксперимента....................... 39
§ 2. Глубокий DX — центр в Сс1Р1 (Ц....................... 40
Выводы.................................................... 50
Глава 3. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ АШВУ,
ЛЕГИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 52
§ 1. Магнитные свойства кристаллов фосфида индия, содержащих
точечные центры иттербия.............................. 52
§ 2. Процессы локального магнитоупорядочения в
кристаллах 1пР(уЬ)..................................... 71
3
§ 3. Оптические свойства кристаллов 1пРС¥Ь■, обусловленные
присутствием обменно-связанных парных центров и
спин-поляронов, локализованных на мелких донорах......... 80
§ 4. Квазимолекулярные центры и спин-поляроны в полупроводниках АIII Т>У
А п , легированных редкоземельными металлами.............96
а. Центры иттербия в кристаллах Са5Ь!^Ъ'>................ 96
б. Центры эрбия в фосфиде индия..........................102
в. Центры неодима в фосфиде галлия.......................110
г. Центры диспрозия в фосфиде галлия.....................112
д. Центры гадолиния в фосфидах галлия и индия............113
е. Центры европия в фосфиде индия........................115
§ 5. Редкоземельные центры в кристаллах СС — .............. 119
Выводы.......................................................122
Глава 4. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА САМОУПОРЯДОЧЕННЫХ
КРЕМНИЕВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК..................................126
§ 1. Диамагнитные свойства кремниевой подложки...............129
§ 2. Магнитные свойства поверхности кремния (100)............129
§ 3. Магнитные свойства границы раздела 5/—5/02............. 137
§ 4. Магнитные свойства сильнолегированных двумерных барьеров.... 148
Выводы.................................................... 152
Глава 5. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР,
СОДЕРЖАЩИХ ЦЕНТРЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ... 154
§ 1. Кремниевые наноструктуры, содержащие центры эрбия...... 155
§ 2. Магнитные свойства самоупорядоченных кремниевых наноструктур,
содержащих центры эрбия................................. 156
4
§ 3. Эффективная внутрицентровая люминесценция из кремниевых
наноструктур, содержащих центры эрбия.............. 171
Выводы................................................ 176
ЗАКЛЮЧЕНИЕ............................................... 178
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ..................... 184
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК РАБОТ АВТОРА, СОСТАВИВШИХ ОСНОВУ ДИССЕРТАЦИИ....................................... 197
ВВЕДЕНИЕ
5
Стремительное развитие опто- и наноэлектроники определяет неослабевающее внимание к твердотельным материалам с полупроводниковыми свойствами. В последнее время наряду с объемными кристаллами основными объектами изучения стали также различные низкоразмерные системы - наноструктуры [1-3].
Создание новых приборов твердотельной наноэлектроники базируется, прежде всего, на возможности управлять электрическими свойствами полупроводниковых материалов. Однако изучение всей совокупности экспериментальных данных свидетельствует об их неразрывной связи с магнитными и оптическими свойствами [4], которые во многом определяются формированием собственных и (или) примесных дефектов [5-7]. В свою очередь, точечные и протяженные центры, которые представляют собой разновидности примесных и собственных дефектов в полупроводниковых кристаллах и стеклах, характеризуются взаимосвязанностью зарядовых (спиновых) корреляций и электрон-колебательного взаимодействия [8], которая является причиной метастабильных свойств и компенсации кулоновского отталкивания электронов на центре. Причем, компенсация кулоновского отталкивания электрон-колебательным взаимодействием может быть весьма интенсивной, что стимулирует спонтанную диссоциацию одноэлектронных парамагнитных состояний с образованием пустых и двухэлектронных заряженных состояний, которая характеризует образование центров с отрицательной корреляционной энергией.
Фундаментальной проблемой физики конденсированного состояния является поведение магнитного момента в процессе исчезновения и генерации парамагнитных одноэлектронных состояний, на которое существенное влияние оказывает метастабильность центра, возникающая вследствие изменения его позиции в решетке кристалла при перезарядке. Изучение температурных и
6
полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости как в отсутствие оптических воздействий на образец, так и при использовании различных источников монохроматического и немонохроматического излучения позволяет во многих случаях решить эту проблему и идентифицировать магнитные свойства метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергий.
Результаты данных исследований представлены в настоящей диссертации, в которой магнитные, оптические и электрические свойства полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур впервые рассматриваются в концепции поведения магнитного момента метастабилыюго центра с отрицательной корреляционной энергией, что определяет ее актуальность как в научном, так и в практическом отношении.
Цель диссертационной работы состояла в обнаружении и детальном исследовании магнитных свойств полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур, которые обусловлены наличием метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией вследствие взаимосвязанности зарядовых/спиновых корреляций и электрон-кодебателыюго взаимодействия, что потребовало решения следующих задач:
создание установки для исследования магнитных свойств материалов под воздействием монохроматического и немонохроматического оптического излучения в широком спектральном диапазоне;
экспериментальное наблюдение и изучение метастабильных дефектов с отрицательной корреляционной энергией, образованных оборванными связями в хатькогенидных стеклообразных полупроводниках;
изучение влияние ОХ — центров индия на магнитные свойства ионных кристаллов с полупроводниковыми свойствами ;
обнаружение и изучение магнитоупорядоченых квазимолекул Ьп^О^, а также образованных ими областей локального магнитоупорядочения - спин-
7
поляронов в соединениях типа АШВУ и кристаллах ЫЮ3, легированных
редкоземельными элементами;
исследование магнитных свойств примесных сверхрешеток, состоящих из последовательности квантовых ям и разделяющих их двумерных сильнолегированных барьеров, на поверхности кремния (,100);
исследование магнитных и оптических свойств кремниевых наноструктур, легированных эрбием.
Настоящая работа представляет собой первое комплексное исследование магнитных свойств полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур в зависимости от зарядового и спинового состояния точечных и протяженных дефектов, которое определяет поведение магнитного момента при изменении температуры и внешнего магнитного поля.
Научная новизна работы заключена в создании основ нового направления в физике дефектов в полупроводниковых стеклах, кристаллах и наноструктурах магнитные свойства метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией - и определяется следующими положениями, которые выносятся на защиту:
1. Температурные и полевые зависимости статической магнитной восприимчивости полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур позволяют в условиях оптической накачки монохроматическим светом идентифицировать магнитные свойства метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией.
2. Метастабильные одноэлектроиные состояния оборванных связей атомов халькогена и мышьяка, самокомпенсируются вследствие отрицательной корреляционной энергии, формируя электрические диполи, поле которых является ответственным за урбаховский край в спектральных зависимостях поглощения халькогенидных стекол.
3. Фотоиндуцированный парамагнетизм кристаллов САР^Лп) возникает
вследствие метастабильности РХ - центров индия, обладающих отрицательной корреляционной энергией.
4. Основной вклад в магнетизм кристаллов А111 Ву (Ьп^ вносят
антиферроупорядоченные квазимодекулы Ьп202> которые трансформируются
в ферроупорядоченное состояние посредством 3—/ - обмена через электроны мелких доноров. Конкурирующим процессом образованию одиночных ферроупорядоченных квазимолекулярных центров является формирование в области высоких локальных концентраций Ьп202 спин-поляронов,
локализованных на мелких донорах.
5. Формирование в запрещенной зоне кристалла глубокого обменносвязанного уровня ферроупорядоченной квазимолекулы Ьп202 стимулирует оже-рекомбинацию неравновесных носителей, которая резко усиливает внутрицентровую фотолюминесценцию ионов Ьп^' в кристаллах
АшВу(Ьп).
6. Самоупорядоченные кремниевые сверхрешетки проявляют диамагнитные свойства, которые обусловлены диамагнетизмом Ландау невырожденного газа свободных дырок в квантовых ямах, туннелирующих через синглетные
состояния дипольных центров бора, В —В , внутри сильнолегированных двумерных барьеров.
7. 3—/- обмен является ответственным за усиление парамагнетизма
кремниевых наноструктур, содержащих квазимолекулы ЕггОъ , а также приводит к росту эффективности внутрицентровой люминесценции ионов
9
Научная и практическая ценность работы определяется применением температурных и полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости, полученных в условиях оптической накачки монохроматическим светом, для изучения метастабильных свойств дефектов свойств в полупроводниковых стеклах, кристаллах и наноструктурах и заключается
в идентификации магнитных свойств точечных и протяженных центров с отрицательной корреляционной энергией, спонтанной диссоциации одноэлектронных состояний оборванных связей и примесных центров в объеме и на поверхности полупроводниковых стекол и кристаллов, а также - в наноструктурах на их основе, процессов локального магнитоупорядочения в полупроводниковых кристаллах и наноструктурах, содержащих примеси редкоземельных элементов;
в получении экспериментальных данных о формировании электрических диполей в процессе самокомпенсации центров с отрицательной корреляционной энергией, которые ответственны за урбаховский край в спектральных зависимостях поглощения халькогенидных стекол, за
фотоиндуцированный парамагнетизм кристаллов СсИ71\1п), за реконструкцию
оборванных связей на поверхности монокристаллического кремния, за взаимосвязанность магнитных и оптических свойств двумерных сильнолегированных барьеров, а также - полупроводниковых кристаллов и наноструктур, содержащих примеси редкоземельных элементов.
Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на
Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку, 1978), на II Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980), на VII Всесоюзной конференции по физике соединений (Новосибирск, 1981), на VII Всесоюзном
симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами
10
редкоземельных и переходных металлов (Ленинград, 1982), на Всесоюзном симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Свердловск, 1985), на Всесоюзной конференции “Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов” (Кишинев, 1986), на VII Всесоюзной школе “Актуальные вопросы физики и химии редкоземельных полупроводников” (Махачкала, 1988), Всесоюзной школы по физике и химии РЗЭ (Красноярск, 1989), на Международном симпозиуме “Nanostructures: Physics and Technology” (Санкт-Петербург, 1996), на Международных конференциях NDTCS-97, NDTCS-98, NDTCS-99, NDTCS-2000, NDTCS-2001 (Санкт-Петербург), на 8^ Международной конференции по центрам с мелкими уровнями в полупроводниках SLCS-98 (Монпелье, 1998), Всероссийской конференции по микро- и наноэлектронике МНЭ-98 (Звенигород, 1998), на научных семинарах кафедры экспериментальной физики СПбГТУ и Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.
Публикации. По материалам диссертации опубликовано 36 статей в ведущих отечественных и международных журналах. Библиографический список публикаций приведен в конце диссертации.
Структура диссертации. Диссертация состоит из Введения, пяти глав, Заключения и библиографии. В первой главе представлены результаты исследований магнитных свойств оборванных связей с отрицательной корреляционной энергией, которые самокомпенсируются с образованием электрических диполей. Рассматриваются возможности генерации и тушения магнитного момента дипольных центров в условиях оптической накачки монохроматическим светом, которые отвечают за формирование урбаховского края в спектрах поглощения и эффекта просветления в халькогенидных стеклах. Вторая глава посвящена изучению фотоиндуцированного
парамагнетизма кристаллов CdF2\In}, который, как показали исследования
температурных и полевых зависимостей магнитной восприимчивости,
11
обусловлен процессами самокомпенсации ОХ - центров индия, обладающих отрицательной корреляционной энергией. В третьей главе приведены результаты исследований процессов локального магнитоупорядочения в полупроводниковых кристаллах, содержащих примеси редкоземельных элементов. Рассматривается влияние метастабильных свойств квазимолекул
Ьп203 на возможности формирования спин-поляронов, локализованных на
мелких донорах. Четвертая и пятая главы посвящены приложениям методики исследований магнитной восприимчивости для изучения магнитных свойств метастабильных дефектов в полупроводниковых наноструктурах. В конце каждой главы формулируются выводы, вытекающие из результатов проведенных исследований. Основные результаты, полученные в диссертации, приведены в ЗАКЛЮЧЕНИИ.
12
Глава 1. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТЕКЛАХ
Халькогенидные стеклообразные полупроводники являются модельными объектами физики неупорядоченных систем. К числу наиболее интенсивно изучаемых в этих средах явлений, прежде всего, следует отнести переходы металл - диэлектрик, полупроводник - диэлектрик, а также процессы формирования поляронов малого радиуса [9]. Кроме того, значительный интерес представляет изучение оптических свойств халькогенидных стекол, поскольку эти материалы находят широкое применение для различных практических целей. Они, например, могут использоваться в качестве фильтров для рентгенорадиометрического анализа, а также при создании безвакуумных фотоэлектрических преобразователей информации для различных участков оптического спектра [10].
Поэтому в настоящее время проводятся интенсивные исследования долговременных обратимых и необратимых оптических свойств
халькогенидных стекол, формирующихся под воздействием
монохроматического и немонохроматического излучения [9-20]. Возможной причиной таких долговременных превращений являются перезарядки в системе дефектов, представляющих собой разные версии оборванных связей атомов, формирующих халькогенидные стекла.
В свою очередь, оборванные связи могут служить наглядными моделями глубоких дефектов, а транспорт носителей тока в такой системе описывается в рамках свойств поляронов малого радиуса [9, 21, 22].
Различные модели собственных дефектов, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне, являются основой для интерпретации результатов
исследований ЭПР, оптического поглощения, фотолюминесценции и фотопроводимости в халькогенидных стеклах [9-20]. Одноэлектронные версии глубоких дефектов в аморфных полупроводниках [9-20] предсказывают
13
высокую плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми, что подтверждается данными электрических и оптических измерений [23, 24]. Однако ЭПР-исследования не выявили сколь-нибудь значительной концентрации неспаренных спинов в халькогенидных стеклах, находящихся в условиях термодинамического равновесия, что практически однозначно идентифицирует отсутствие одноэлектронных локализованных состояний в запрещенной зоне [25]. Для того чтобы устранить очевидное противоречие, была выдвинута концепция отрицательной корреляционной энергии [20, 21, 26-29], в рамках которой предполагается, что одноэлектронный глубокий центр
(Z)0) спонтанно диссоциирует, формируя двухэлектронное (D~) и пустое
(Z)*) состояния:
2D° ^D~ + D++\U\, (1.1)
где и - хаббардовская корреляционная энергия [21, 29].
Фактически, предложенные модели глубоких центров основаны на эффективном хаббардовском притяжении двух электронов, локализованных на дефекте, вследствие компенсации кулоновского отталкивания электрон-колебательным взаимодействием, что объясняет отсутствие парамагнетизма Кюри и пиннинг уровня Ферми в запрещенной зоне халькогенидных стекол. Иными словами, двухэлектронные состояния глубоких центров с обратным порядком уровней {negative U - центры) представляют собой аналоги куперовских пар с малым радиусом корреляции.
Прямым следствием образования negative U - центров в халькогенидных стеклах является возможность генерации парамагнитных одноэлектронных состояний в неравновесных условиях, например, с помощью оптической иижекции электронно-дырочных пар
D- + D++hv^>D-+D'+(e+h)->2D°. (1.2)
Подобные парамагнитные центры были обнаружены в ЭПР -исследованиях, проведенных при оптической накачке монохроматическим
14
светом с энергией вблизи урбаховского края оптического поглощения халькогенидных стекол СС-Бе, и Аз^3 [17-19]. Причем, увеличение
концентрации электронных и дырочных парамагнитных центров, локализованных соответственно на атомах мышьяка и халькогена, сопровождалось тушением собственной фотолюминесценции и генерацией оптического поглощения, возникающего вследствие оптических переходов между глубокими одноэлектронными состояниями и зоной проводимости [17, 18]. Последующая оптическая накачка монохроматическим светом с энергией, соответствующей спектру индуцированного поглощения, приводила к оптической диссоциации одноэлектронных парамагнитных состояний [19]:
2£>0+/гР'-*О_ + £)+, (1.3)
что является дополнительным свидетельством наличия отрицательной корреляционной энергии у собственных дефектов в халькогенидных стеклах.
Однако практически открытым оставался вопрос идентификации моделей двухэлектронных состояний этих дефектов, а также - их возможной роли в фотоструктурных превращениях, возникающих в халькогенидных стеклах при длительной оптической накачке. В настоящей работе эти задачи впервые решались путем исследования температурной зависимости статической магнитной восприимчивости халькогенидных стекол.
§ 1. Установка для исследования магнитной восприимчивости твердых тел в условиях оптического облучения монохроматическим и немонохроматическим светом
Измерения статической магнитной восприимчивости производились методом Фарадея на установке МСО 312 ГС в магнитных по;шх до 15 кГС.
Установка МСО 312 ГС состоит из двух конструктивно независимых
частей, позволяющих проводить измерения в интервалах температур от 3,2 до
300АГ и от 300 до 1200А^, которые в дальнейшем мы будет называть
15
установками "А" и "В", соответственно. В обеих экспериментальных установках исследуемые образцы помещаются в кварцевую чашку, подвешиваемую на тонкой кварцевой нити к весам. Весы вместе с исследуемым образцом заключаются в герметичную оболочку, полость которой перед началом измерений вакуумируется и заполняется газообразным гелием до давления - 200 мм рт. ст. с тем, чтобы обеспечить необходимый теплообмен образца со стенками полости, поддерживаемыми при заданной температуре.
Для проведения настоящих исследований в стандартной конструкции установок "А" и "В" были произведены изменения.
Установка "А” обеспечивает возможность охлаждения стенок металлической (светонепроницаемой) полости, где находится образец, регулируемым потоком паров жидкого гелия, принудительно отбираемых из сосуда Дьюара, и термостатирования в температурном диапазоне 3,2-1- 300 К . Конструкция этой
установки была изменена таким образом, чтобы обеспечить возможность оптического облучения образца и его визуальное наблюдение в процессе экспериментального изучения (например, при фотообесцвечивании). В металлический тубус из нержавеющей стали, внутри которого проходит нить подвеса образца, над криостатом была врезана крестовина с кварцевым окном (материал окна мог изменяться в зависимости от спектральных характеристик используемого излучателя) и поворотным зеркалом с прорезью, позволяющей пропустить кварцевую нить подвеса сквозь зеркало, так что первоначально горизонтальный пучок света, подводимый извне через герметичное кзарцевое окно, расположенное в крестовине, затем с помощью поворотного зерката направлялся отвесно вниз на образец. Посредством небольшой стеклянной призмы, укрепленной над прорезыо поворотного зеркала, через герметичное боковое окно и телескоп можно было наблюдать облучаемый образец.
Температура в установке “А” измеряется с помощью термисторов, закрепленных на стенке внутренней полости криостата. Калибровка термисторов
16
осуществлялась с помощью газового термометра с использованием азота, водорода и гелия с точностью до сотых долей Кельвина.
Установка "В" была дополнительно оснащена специально изготовленным стеклянным гелиевым криостатом, используемым для охлаждения образца. Поскольку' используемая конструкция прозрачна в видимой части спектра, то принимались специальные меры, чтобы при измерениях “темновой” магнитной восприимчивости образец, помещенный в установку, не подвергался воздействию света.
Измерения статической магнитной восприимчивости образцов производились на обеих установках в два этапа. Сначала проводилось калибровочное измерение пустой кварцевой чашки во всем диапазоне используемых магнитных полей и при различных температурах. Затем те же измерения производились с образцом. Результаты 1-го измерения вычитались из 2-го, и таким образом определялась сила, действующая на образец, как функция температуры Т и магнитного поля В.
Магнитная восприимчивость в методе Фарадея определяется из соотношения:
магнитного поля, определяется с помощью точных электромеханических весов, входящих в состав установки. Градиент магнитного поля направлен вертикально вниз вдоль нити подвеса (2 — ось).
Калибровка установок и определение значений £> производились в
(к
отдельном опыте при комнатной температуре с использованием в качестве эталона “магнитно’" чистого образца 1пР с известным значением магнитной
(1.4)
имеет размерность
Ш—масса образца (в наших
измерениях это 0,1-0,5 г).
Сила р{Г,В)9 действующая на образец при включении сильно неоднородного
17
восприимчивости: = —313*10 9 СМ /г. Найденная таким образом
величина В находится в пределах <2*10 ед. С ГСМ.
с12
Определение значения индукции внешнего магнитного поля в месте нахождения образца осуществлялось с помощью датчика Холла, а также из полевой
весов установки (порядка нескольких микрограмм), неточностью помещения образца в одну и ту же область неоднородного магнитного поля при смене образца с частичной разборкой установки, а также дрейфом весов в установке "В" при изменении уровней жидкого гелия и азота в стеклянном криостате. При этом основную погрешность в абсолютное значение восприимчивости вносило измерение массы образца, производимое на аналитических весах АДВ - 200.
§ 2. Эксперимент
В качестве объектов для исследования температурной зависимости магнитной восприимчивости халькогенидных стекол были использованы
объемные образцы 3, приготовленные по стандартной технологии из
компонент со степенью очистки 99,999%. Предварительные исследования
ЭПР образцов в стационарных условиях, т.е. в отсутствии оптической накачки, не зафиксировали сколь-либо значительной концентрации остаточных примесей, в частности, центров железа, которые обычно формируются в процессе получения халькогенидных стекол [19].
Оптически индуцированное усиление парамагнитной составляющей магнитной восприимчивости и красный сдвиг спектра поглощения образцов А(^25з регистрировались в процессе предварительной оптической накачки
зависимости магнитной восприимчивости Xpara образцов температуре Т = 4 К (см. гл.2, § 3).
при
Пофешности в определении величины
обусловлены пофешностью
18
монохроматическим светом с энергией вблизи урбаховского краевого
поглощения (СС — 100СМ ]). Для этой цели использовался лазерный диод на
( 2
основе 4Я-57С, генерирующий с интенсивностью ~1 мВт/СМ на длине волны 0,53лг/СИ. В свою очередь, последующее оптическое подавление индуцированного парамагнетизма и восстановление исходной спектральной зависимости поглощения осуществлялось с помощью инфракрасного излучения
с длиной волны \,55мкм и интенсивностью ~1 мВт/ СМ , генерируемого
лазерным диодом на основе гетероперехода 1пСаА8Р—1пР. Кроме того, оптическая накачка с энергией вблизи урбаховского краевого поглощения применялась в условиях последовательных циклов охлаждения 300К-*3,5К->300К-+3,5К... для изучения изменений в парамагнитных свойствах халькогенидных стекол в процессе
длительных фотоструктурных превращений.
§ 3. Результаты и обсуждение: магнитные свойства центров с отрицательной корреляционной энергией
Температурная зависимость магнитной восприимчивости, зарегистрированная в процессе охлаждения образца А825з, демонстрирует парамагнетизм Кюри только при высоких температурах (рис.1). При
понижении температуры, в зависимости у ~/\Г) наблюдаются два
Л
характерных пика ниже Т=\00К, которые идентифицируют спиновую
нестабильность двух различных парамагнитных центров.
Обнаруженное температурное ослабление парамагнетизма Л82о^
обусловлено механизмами, аналогичными спин-пайерлсовскому удвоению в магнитных решетках [30], и, по-видимому, связано с формированием