ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
1. Литературный обзор.
1.1. Основные характеристики роста кристаллов
1.2. Послойный и нормальный механизмы роста
1.3. Классические теории зарождения
1.4. Математические модели процессов роста кристаллов
2 . Расчет основных физико химических параметров исходной системы.
2.1. Нахождение основных параметров многокомпонентных
твердых растворов.
2.2. Расчет псевдофазовых равновесий и классификация фазовых
диаграмм
2.3. Оценка критерия устойчивости
2.4. Выбор функции распределения зародышей для соединений
АВУ и исследование ее поведения.
Выводы
3. Построение вероятностностатистической модели получения гетерогенных структур типа АПВУ
3.1. Построение вероятностной модели начального
зародышеобразования.
3.2. Расчет вероятности присоединения зародышем атома
3.3. Обобщенная модель роста полупроводниковых слоев АПВУ
3.4. Смысл основных констант и параметров.
Выводы.
4. Экспериментальное подтверждение теоретической модели роста соединений АП,ВУ
4.1. Особенности выращивания кристаллов методом ЗГСГТ.
4.2. Аппаратно методические особенности получения многокомпонентных твердых растворов АШВ4 методом ЗГ1ГТ.
4.3. Сравнение результатов моделирования и экспериментальных
данных
Выводы
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922